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- 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
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3GPP Release 19で「再生ペイロード(Regenerative Payload)」が本格導入されたことに伴い、VNA(ベク…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ(SDD11)だけ…
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- シリコンフォトニクス上の光変調器(MZ変調器など)の小型化
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シリコンフォトニクスにおける光変調器、特に**マッハ・ツェンダー変調器(MZM: Mach-Zehnder Modulator…
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- Joint Communications and Sensing (JCAS)
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Joint Communications and Sensing (JCAS)、あるいはISAC (Integrated Sensing and Communications) と…
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- AIとLLM 電磁システムとRFシステムに変革
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電磁(EM)システムおよび高周波(RF)システムの設計・開発領域は、従来の数値計算シミュレーション(H…
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- ベクトルネットワークアナライザ(VNA)とコネクタ・校正キット…
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✅ VNA + コネクタ/校正キットの応用例 1. 高周波基板の特性評価 用途:RF回路やミリ波アンテナ基…
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- Phase Coherency and Alignment
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「Phase Coherency and Alignment」(位相コヒーレンシーとアライメント)は、複数の信号やシステム間で…
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- ディープラーニングの学習と推論のほとんどは、浮動小数点数の…
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ディープラーニングの学習と推論のほとんどは、浮動小数点数(小数点を含む数値)の演算で行われます。 …
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- 低α(アルファ)線材料
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低α線とは、主に半導体素子の誤作動(ソフトエラー)を防ぐ目的で、α線の放出量を極限まで低く抑えた材…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- HAMRの次、将来技術HDMR(ドット記録)
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HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR(熱補助磁気記録)**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- 「105 GHz / 4 GHz帯域幅」を用いた視通(LoS: Line-of-Sight)…
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、6G(第6世代移動通信システム)およびそれ以降を見据え、100 …
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- ADL5961 IC内部の自己診断(BIST)
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ADL5961のような高度なVNAフロントエンドを**BIST(Built-In Self-Test:内蔵自己診断)**として組み込…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成(Spatial Power Combining)技術を用いたSSPA(Solid State Power Amplifier…
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- キラル物質科学 ペロブスカイト
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「キラル物質科学」は、鏡に映した像(鏡像)が元の自分自身と重なり合わない性質、すなわち**「対掌性…
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- Bias-Tの挿入位置、VNA側か、DUT側か? Bias-Tの付いていないVNA
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DCバイアスティー(Bias-T)を挿入する位置は、「可能な限りDUT(デバイス)に近い場所」に配置するのが…

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