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GLOSSARY用語集VNA

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  • 3GPP Release 19における5G NTN(NR-NTN)の物理層(PHY)の変…
    3GPP Release 19における5G NTN(NR-NTN)の物理層(PHY)の変更点は、単なる通信維持の段階から、**「…
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  • HFM® – High-Speed FAKRA-Miniとは
    **HFM®(High-Speed FAKRA-Mini)**は、ドイツのコネクタメーカーである Rosenberger(ローゼンバーガー…
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  • TDR測定における出力パワーの影響
    TDR(タイムドメイン)測定における出力パワーの設定は、**「S/N比(信号対雑音比)」と「DUTの線形性(…
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  • LSTC 光電融合チップレット(Optical I/O Chiplet)
    **光電融合チップレット(Optical I/O Chiplet)**は、チップ間のデータ伝送を従来の「電気信号」から「…
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  • プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
    プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI(磁気共鳴画像法)の分野において、主に超軽量でフレキ…
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  • Doherty増幅器 包絡線追跡方式(Envelope Tracking, ET)
    Doherty増幅器と包絡線追跡方式(Envelope Tracking, ET)は、どちらも無線通信において、電力増幅器(P…
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  • Huaweiの1.6T市場における立ち位置
    HuaweiとQSFP-DD1600を含む1.6T技術への取り組みについてご説明します。 1. Huaweiの1.6T市場におけ…
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  • 帯域密度 1 Tbps/mmを達成するための光チップレットの設計
    **帯域密度 1 Tbps/mmを達成するための光チップレットの設計は、「光電変換機能の極限的な高密度化」と…
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  • 富士通オプティカルコンポーネンツ(FOC)、古河電気工業の子会…
    富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社(FOC)の全株式が、古河電気工業株式会社に譲渡され、子会社…
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  • ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
    次世代ヘテロジニアス・インテグレーション(HI)を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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  • 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
    2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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  • トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
    2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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  • 「105 GHz / 4 GHz帯域幅」を用いた視通(LoS: Line-of-Sight)…
    京都大学の原田博司教授の研究グループは、6G(第6世代移動通信システム)およびそれ以降を見据え、100 …
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  • ADL5961 高速差動信号の配線(PCIe, USB4, HDMI 2.1など)
    高速差動信号(PCIe, USB4, HDMI 2.1など)の配線インピーダンス管理において、ADL5961のような広帯域VN…
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  • Q/Vバンドにおける**デジタル・プリディストーション(DPD)**…
    Q/Vバンド(40/50GHz)において、GaN増幅器から最大出力を引き出しつつ、通信品質(信号のきれいさ)を…
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  • DC/DCコンバータのスイッチング周波数と信号帯域の干渉
    DC/DCコンバータのスイッチング周波数($f_{sw}$)とその高調波は、広帯域なデータ・コンバータ・システ…
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  • 光メタマテリアルの応用技術
    光メタマテリアルは、自然界の物質では不可能な「負の屈折率」や「誘電率・透磁率の自在な制御」をナノ…
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  • MultiGBASE-T1 TC15 PHY試験
    MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)における「TCxx」とは、車載イーサネットの標準化団体である OPEN Allian…
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  • DC Bias-Tの付いていないVNAに外付けでバイアスTを使用する場合…
    DCバイアスティー(Bias-T)を外付けで使用する場合、VNA単体では見えてこない「回路としての振る舞い」…
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  • VNA機種ごとの接続例や推奨校正キットの選定表
    以下は、T&Mコーポレーション取扱のVNA機種別の接続コネクタ仕様と推奨校正キット(Cal Kit)の一覧表…
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