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- トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向
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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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- VHF Band for IoT and V2X
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原田博司教授の研究グループ（京都大学）による、IEEE Open Journal of Vehicular Technology (2023年9…
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- ADL5961 基板インピーダンス、ICテスト用途
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基板（PCB）のインピーダンス測定やICテストにおいて、ADL5961のような「チップ型VNA」が登場したことは…
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- 複数のGaNチップを合成する際の電力合成器（Combiner）のロス対…
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Q/Vバンド（40/50GHz）において、複数のGaN MMICからの出力を束ねて高出力を得る「電力合成（Power Comb…
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- JESD204C 結合スプリアス
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JESD204Cインターフェースは、最大32.5Gbpsという極めて高いデータレートで動作するため、その**高速シ…
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- 光の準粒子とキラル物質科学
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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- Marvell の評価ボードでテストモード（Test Mode 1-6）を起動
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Marvell（マーベル）の車載イーサネットPHY（Brightlaneシリーズ：88Q4364 等）において、IEEE 802.3ch …
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- 保護中: 外資系ハイテク企業における経営者層や株主への還元と…
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- 「デジタル・ネーションズ2026：日本のデジタル飛躍加速」報告書
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2026年4月にGSMA（GSMアソシエーション）が発表した報告書**「デジタル・ネーションズ2026：日本のデジ…
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- Pythonのscikit-rfライブラリ .s2pファイルからMasonの単方向電…
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Pythonのscikit-rfライブラリを使用して、.s2pファイルからMasonの単方向電力利得（U）を計算し、fmaxを…
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- 多結晶ダイヤモンド（PCD）基板上にGaNトランジスタ（GaN-HEMT）
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多結晶ダイヤモンド（PCD）基板上に窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）を作製す…
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- シリコンフォトニクスを採用したネットワークスイッチ
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米NVIDIAが量産を表明した光電融合製品は、シリコンフォトニクス（光電融合）ネットワークスイッチ 「N…
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- Huawei OptiXtrans DC908 Pro
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💻 Huawei OptiXtrans DC908 Pro の概要 Huawei OptiXtrans DC908 Pro は、Huawei が提供するデータセ…
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- Aloe Semiconductor Inc.
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**Aloe Semiconductor Inc.(米国企業）**は、シリコンフォトニクス（Silicon Photonics）を用いた光電融合…
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- URLLC: Ultra Reliable Low Latency Communication
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Ultra Reliable Low Latency Communication（URLLC：超高信頼低遅延通信）は、5G (第5世代移動通信シス…
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- 三菱電機が強みを持つ「人工衛星・防衛技術」USB4応用
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三菱電機の強みである「人工衛星・防衛技術」は、USB4のような超高速通信を車載化する際、単なるオーデ…
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- Ceyear 3674 VNAによる「ミキサ、周波数変換デバイス」測定
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Ceyear 3674 VNAによる「ミキサ、周波数変換デバイス」では下記パラメータの測定が可能です。 ・Amplitud…
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- スピン操作のためのパルス設計
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スピン操作のためのパルス設計は、量子ビット（スピン）の状態を自由自在に操るための「楽譜」のような…
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- iNARTE試験に向けて具体的にどの参考書やサイト
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iNARTE試験は「オープンブック（資料持ち込み可）」という特殊な形式のため、**「どれだけ良い資料を持…
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