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- VNA 2cmの変換アダプタ(N-SMAなど)を使用する場合の誤差 4.5GHz
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4.5 GHzで2cmのアダプタとなると、RFの観点からは「無視できない領域」に突入しています。「ただのコネ…
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- 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
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3GPP Release 19で「再生ペイロード（Regenerative Payload）」が本格導入されたことに伴い、VNA（ベク…
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- HFM TDRによるインピーダンス・プロファイル評価
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のような超高速差動伝送では、周波数ドメインのSパラメータ（SDD11）だけ…
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- シリコンフォトニクス上の光変調器（MZ変調器など）の小型化
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シリコンフォトニクスにおける光変調器、特に**マッハ・ツェンダー変調器（MZM: Mach-Zehnder Modulator…
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- Joint Communications and Sensing (JCAS)
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Joint Communications and Sensing (JCAS)、あるいはISAC (Integrated Sensing and Communications) と…
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- AIとLLM 電磁システムとRFシステムに変革
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電磁（EM）システムおよび高周波（RF）システムの設計・開発領域は、従来の数値計算シミュレーション（H…
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- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
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プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
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- Doherty増幅器 包絡線追跡方式（Envelope Tracking, ET）
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Doherty増幅器と包絡線追跡方式（Envelope Tracking, ET）は、どちらも無線通信において、電力増幅器（P…
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- Huaweiの1.6T市場における立ち位置
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HuaweiとQSFP-DD1600を含む1.6T技術への取り組みについてご説明します。 1. Huaweiの1.6T市場におけ…
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- 帯域密度 1 Tbps/mmを達成するための光チップレットの設計
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**帯域密度 1 Tbps/mmを達成するための光チップレットの設計は、「光電変換機能の極限的な高密度化」と…
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- 富士通オプティカルコンポーネンツ（FOC）、古河電気工業の子会…
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富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社（FOC）の全株式が、古河電気工業株式会社に譲渡され、子会社…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
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2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- 「105 GHz / 4 GHz帯域幅」を用いた視通（LoS: Line-of-Sight）…
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、6G（第6世代移動通信システム）およびそれ以降を見据え、100 …
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- ADL5961 IC内部の自己診断（BIST）
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ADL5961のような高度なVNAフロントエンドを**BIST（Built-In Self-Test：内蔵自己診断）**として組み込…
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- 空間合成器を用いた実際のSSPA製品の内部構造
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Q/Vバンドにおける空間合成（Spatial Power Combining）技術を用いたSSPA（Solid State Power Amplifier…
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- キラル物質科学 ペロブスカイト
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「キラル物質科学」は、鏡に映した像（鏡像）が元の自分自身と重なり合わない性質、すなわち**「対掌性…
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