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- wi-fi7 高調波抑制技術
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Wi-Fi 7（IEEE 802.11be）は、最大46Gbpsという超高速通信を実現するために、320MHzの広帯域利用や4096-…
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- TGV（Through Glass Via）の具体的な加工法
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TGV（Through Glass Via：ガラス貫通電極）を形成するための加工法には、大きく分けて**「レーザー改質…
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- DONUT LAB全固体電池 「5分充電」を支えるインフラ（充電器）…
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DONUT LABが掲げる「5分充電（フル充電）」という驚異的なスピードは、電池側の性能だけでなく、それを…
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- センサーやメーターにWi-SUN FANを組み込むための開発キット
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Wi-SUN FAN（特に最新の1.1規格）をセンサーやメーターに組み込むための開発キットは、すでに主要な半導…
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- NanoVNA LiteVNA ADL5961
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NanoVNA や LiteVNA はまさに、ADL5961のような高度な集積チップが登場する前に、「既存の低価格チップ…
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- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN（窒化ガリウム）増幅器 の特性
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Q/Vバンド（40/50GHz帯）の衛星通信において、**GaN（窒化ガリウム）を用いた高出力増幅器（SSPA/HPA）*…
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- JESD204Cインターフェース
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JESD204Cは、最新の超高速データ・コンバータ（ADC/DAC）とFPGA/ASIC間を結ぶためのシリアル・インター…
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- マイクロ波磁場励起によるプラズマ発生
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マイクロ波磁場励起（特に電子サイクロトロン共鳴：ECR）によるプラズマ発生は、現代の半導体製造や材料…
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- 10Gリンク確立後のSQI（信号品質）評価
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10Gリンクが確立された後、通信が安定しているかを判断する最も重要な指標が SQI (Signal Quality Indic…
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- USB-VNAのようにポート間隔が狭い場合のアイソレーション確保
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潤工社（Junkosha）のような、高いシールド性能を持つ高品質・大口径のフェイズステータスケーブルが使…
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- PCIe 6.0 は 64 GT/s
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PCIe 6.0 の 64 GT/s という数字は、単なるスピードアップ以上の技術的限界への挑戦を意味しています。 …
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- CNT-TFT 遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax)
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CNT-TFTや高周波デバイスの性能指標である遮断周波数 (fT) と 最大発振周波数 (fmax) をVNAで測…
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- SparkLink SIGLENT 計測器
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SIGLENTの計測器（VNAやスペクトラムアナライザ）を使ってSparkLink（NearLink）デバイスやモジュールを…
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- Sパラメータ（Scattering Parameters）とは
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Sパラメータ（Scattering Parameters）とは ～高周波回路・部品の入出力特性を表す基礎パラメータ～ ■…
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- Q/V帯 ダイレクトディジタルRF送受信アンテナ・モジュール
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「Q/V帯 ダイレクトディジタルRF送受信アンテナ・モジュール」は、次世代の衛星通信、特に低軌道（LEO）…
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- RoCEv2: IP層の上で動作
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RoCEv2 (RDMA over Converged Ethernet version 2) は、IP層（インターネット層）の上で動作するように…
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- データセンター相互接続 (DCI) 向け専用システムの世界シェア
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データセンター相互接続（DCI）向け専用システムの市場シェアは、光伝送機器市場の中でも特に成長著しい…
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- USB4 スマートカー
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スマートカー（次世代自動車）におけるUSB4の導入は、2025年現在、「単なる充電ポート」から「車内ネッ…
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- Intelの製造プロセス（18A/14A）
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Intelの製造プロセスにおける**18A（1.8nmクラス）と14A（1.4nmクラス）**は、単なる微細化のステップで…
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