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- アンテナ測定「近傍界（Near-field）」と「遠方界（Far-field）…
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アンテナ測定において、**「どこで測るか（距離）」**は非常に重要です。電波はアンテナからの距離によ…
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- PCIe Gen3やGen4などへの対応方法 絶縁
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PCIe Gen3（8Gbps）やGen4（16Gbps）といった高速規格を産業機器で絶縁する場合、Gen1/Gen2時代とは比較…
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- Bluetooth 7 HDT の物理層パケット構造
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Bluetooth 7 で導入が予定されている HDT (High Data Throughput) モードは、従来の Bluetooth LE (Low …
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- MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）4port VNA
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MultiGBASE-T1（IEEE 802.3ch）のコンプライアンステストにおいて、**4ポート VNA（ベクトル・ネットワ…
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- AFR（Automatic Fixture Removal）操作手順
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AFR（Automatic Fixture Removal）は、校正キット（SOLTなど）が接続できない基板上の配線やテスト・フ…
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- DUTが導波管の場合のe-calの利用方法
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導波管測定（WR90等）において、同軸用の**ECal（電子校正モジュール）を活用する場合、そのままではイ…
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- 校正はなぜ重要？VNAでのキャリブレーション手順とその意味
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校正はなぜ重要？VNAでのキャリブレーション手順とその意味 ■ VNA測定における「校正（キャリブレーショ…
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- TWTAs (Traveling Wave Tube Amplifiers) とは
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TWTAは Traveling Wave Tube Amplifier の略で、日本語では進行波管増幅器と呼ばれます。 これは、主要…
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- 直交二偏波密結合ダイポールアレーアンテナ
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直交二偏波密結合ダイポールアレーアンテナは、英語で Dual-Polarized Tightly Coupled Dipole Array (D…
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- AI デジタル制御による超広帯域GaN増幅器
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AIデジタル制御による超広帯域GaN増幅器の研究は、次世代の無線通信システム（5G基地局、6G、衛星通信、…
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- 200G/レーン SerDesの技術成熟
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🚀 200G/レーン SerDesの技術成熟度 200G/レーン (200G/lane) のシリアライザ/デシリアライザ（SerDes…
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- メンブレン化合物半導体光デバイス
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メンブレン化合物半導体光デバイスは、シリコン（Si）基板上に、インジウムリン（InP）系などの化合物半…
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- OptiX OSN 9800
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華為技術（HUAWEI）がコヒーレント変調器やその関連技術を搭載している主要な光伝送システムは、主に以…
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- 2.4GHz/5GHz/6GHzを同時に使う「MLO（マルチリンク・オペレーシ…
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Wi-Fi 7の目玉機能である**MLO（Multi-Link Operation：マルチリンク・オペレーション）**は、これまで…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- 評価ボード（NJT-1104等）
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長野日本無線が開発した NJT-1104 は、京都大学（原田博司教授）および日新システムズとの共同開発によ…
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- NanoVNA LiteVNA ADL5961
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NanoVNA や LiteVNA はまさに、ADL5961のような高度な集積チップが登場する前に、「既存の低価格チップ…
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- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN（窒化ガリウム）増幅器 の特性
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Q/Vバンド（40/50GHz帯）の衛星通信において、**GaN（窒化ガリウム）を用いた高出力増幅器（SSPA/HPA）*…
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- JESD204Cインターフェース
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JESD204Cは、最新の超高速データ・コンバータ（ADC/DAC）とFPGA/ASIC間を結ぶためのシリアル・インター…
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