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- SIGGW(Substrate Integrated gap groove Waveguide) filter
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「SIGGW filter」は、基板集積型ギャップ溝導波路（Substrate Integrated Gap Groove Waveguide）技術を…
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- サブテラヘルツ帯光電融合技術
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サブテラヘルツ帯光電融合技術は、エレクトロニクス（無線）技術とフォトニクス（光）技術の知見や要素…
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- セレン化インジウム（In2Se3）
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セレン化インジウム（Indium(III) selenide、In2Se3）は、インジウム（In）とセレン（Se）からなる半導…
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- 「トラップリッチ層」による高調波抑制（ハーモニクス）
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SoitecのRF-SOI基板、特にRFeSI（RF enhanced Signal Integrity）における**「トラップリッチ層（Trap-R…
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- Project Silicaの光学ガラスストレージの読み書きの仕組み
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Microsoftが主導する「Project Silica」のような光学ガラスストレージは、石英ガラスの内部にレーザーで…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- IEEE 802.15.4 SUN FSK Evaluation
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京都大学の原田博司教授の研究グループは、5G向けのUTW-OFDMだけでなく、IEEE 802.15.4 SUN (Smart Util…
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- 対ドローン電子戦（C-UAS）
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ドローン（UAV）が戦場の主役となった今、それに対抗する**C-UAS（Counter-Unmanned Aerial System）**…
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- インジウムリン（InP） 格子定数やバンドギャップ
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インジウムリン（InP）の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
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- SIGLENT社 VNA Calibration動画
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SIGLENTのベクトルネットワークアナライザ（VNA）の校正やディエンベディングに関する動画や資料につい…
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- AMD RFSoCを用いた4.5 GHz系の評価におけるアップコンバート後…
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AMD RFSoC（Gen3以降など）を使用して4.5 GHz帯の信号を生成し、それを110 GHzクラスの超広帯域システム…
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- 3.5mm と 2.92mm (K) 2.4mmと2.92mm (K) コネクタ互換
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高周波同軸コネクタの選定において、「物理的に繋がるかどうか（嵌合互換性）」と「電気的な性能（帯域…
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- VNAでSOLT校正をする場合のアイソレーション校正
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VNAの校正において、「アイソレーション（Isolation）校正」をスキップすべき、あるいはしない方が良い…
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- SIGLENT VNA SNA5000A Pythonによる参考プログラム
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SIGLENT SNA5000AシリーズのVNAをLXI（LAN経由）で制御するためのPythonプログラムの基本構成を紹介しま…
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- Navigator Echo（ナビゲーター・エコー）
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Navigator Echo（ナビゲーター・エコー）は、MRIにおいて外部センサーを使わずに、磁気共鳴信号そのもの…
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- スプリットリング共振器 メタマテリアル
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自然界に存在する通常の物質は、原子や分子が規則正しく並ぶことでそのマトリクス（誘電率 ε＝ や透磁率…
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ベクトルネットワークアナライザ（VNA）とは？基本原理と使い方をやさしく解説 ベクトルネットワークアナ…
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CEVAは、エッジデバイスからデータセンターインフラまで、幅広い製品に**人工知能（AI）**機能を組み込…
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📉 MMFのモード分散と1060nm波長 マルチモードファイバー (MMF) のモード分散は、信号の伝送速度と距離…
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- HUAWEIの超広帯域の変調器技術（HB-CDM相当）
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華為技術（HUAWEI）のコヒーレント変調器や光通信分野における動向について。 HUAWEIは、世界的な通信…
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