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- 高速光電子技術、光子集積、光電子融合集積とは
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高速光電子技術、光子集積、光電子融合集積は、いずれも光と電子を利用して高速・低消費電力な情報通信…
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- Enhanced TDR Measurements with your SIGLENT SNA5000A Vector…
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Enhanced TDR Measurements with your SIGLENT SNA5000A Vector Network Analyzer From Microwave Journa…
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- 6.5GHz帯無線LANのAFCシステム
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6.5GHz帯無線LANのAFC (Automated Frequency Coordination) システムは、この周波数帯を他の既存無線シ…
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- パワー・インテグリティ（PI：power integrity）とは
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パワー・インテグリティ（PI）とは、プリント基板上の電源ラインの電源品質を指す言葉です。近年、LSIの…
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- バイパスMMICを備えた広帯域LNAとは
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バイパスMMICを備えた広帯域LNAの仕組み バイパスMMICを備えた広帯域LNAとは、広帯域…
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- ワイヤレス電力伝送の衛星間利用
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ワイヤレス電力伝送の衛星間利用は、宇宙太陽光発電システム（SSPS：Space Solar Power System）の主要…
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- 電源フィルタにおける「ディレーティング特性」とは
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電源フィルタのディレーティング特性とは、周囲温度が上昇するにつれて、安全に使用できる定格電流が低…
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- SNA6000A 26.5 GHz Portable 4-Port Network Analyzers
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Saelig Debuts Siglent SNA6000A 26.5 GHz Portable 4-Port Network Analyzers September 10, 2024 …
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- 80GHz 帯高速無線伝送システムの概要
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80GHz帯高速無線伝送システムは、ミリ波（30GHz～300GHz）と呼ばれる高周波数帯域を利用した大容量・高…
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- TASAが開発している衛星プロジェクト
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TASA（Taiwan Space Agency、台湾宇宙機関、旧：国家宇宙センター/NSPO）は、台湾の宇宙技術力強化と宇…
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- ダイヤモンド半導体の高出力化の意義や、GaNなどのトラップ評価
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ダイヤモンド半導体の高出力化の意義と、GaNなどの次世代半導体におけるトラップ評価の重要性について解…
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- パンクチャリング技術（Preamble Puncturing）
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Wi-Fi 7における**パンクチャリング技術（Preamble Puncturing）**は、帯域の一部にノイズや他の通信（…
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- ガラスコア基板のTGV（ガラス貫通電極）に銅を詰める工程
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ガラスコア基板のTGV（ガラス貫通電極）に銅を詰める工程は、実は穴を開けるのと同じくらい、あるいはそ…
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- トレンチ型SiC-MOSFETチップ
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トレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide MOSFET）チップは、従来のシリコン（Si）製パワー半導体に比べ…
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- 評価ボード（NJT-1104等）
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長野日本無線が開発した NJT-1104 は、京都大学（原田博司教授）および日新システムズとの共同開発によ…
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- ADL5961 アンテナの調整、フィルター特性
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ADL5961やLiteVNAを使って「アンテナ調整」や「フィルタ特性」を測定する場合、これまでの高価なベンチ…
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- GaN増幅器とフェーズドアレイアンテナの統合技術
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Q/VバンドにおけるGaN（窒化ガリウム）増幅器とフェーズドアレイアンテナ（PAA）の統合は、次世代の低軌…
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- DDC スプリアス特性
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デジタル・データ・コンバータ（ADC/DAC）におけるスプリアス特性は、ダイレクトRFサンプリングや広帯域…
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- マイクロ波を用いたワイドギャップ半導体層シート抵抗の測定
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ワイドギャップ半導体（SiC, GaN, Ga0O3など）のデバイス開発において、エピタキシャル層や注入層の**シ…
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