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ADL5961やLiteVNAを使って「アンテナ調整」や「フィルタ特性」を測定する場合、これまでの高価なベンチ…
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- GaN増幅器とフェーズドアレイアンテナの統合技術
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Q/VバンドにおけるGaN(窒化ガリウム)増幅器とフェーズドアレイアンテナ(PAA)の統合は、次世代の低軌…
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- DDC スプリアス特性
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デジタル・データ・コンバータ(ADC/DAC)におけるスプリアス特性は、ダイレクトRFサンプリングや広帯域…
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ワイドギャップ半導体(SiC, GaN, Ga0O3など)のデバイス開発において、エピタキシャル層や注入層の**シ…
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MotorComm(裕太微電子)の YT8011 などを搭載した評価ボードで IEEE 802.3ch (MultiGBASE-T1) の準拠性…
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- TASAが開発している衛星プロジェクト
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TASA(Taiwan Space Agency、台湾宇宙機関、旧:国家宇宙センター/NSPO)は、台湾の宇宙技術力強化と宇…
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ダイヤモンド半導体の高出力化の意義と、GaNなどの次世代半導体におけるトラップ評価の重要性について解…
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💡 Wavelength-Tunable and Pluggable CFP2 の解説 Wavelength-tunable and pluggable CFP2(波長可変…
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- PFAM(Pooled/Flexible Access Memory) IOWN
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NTTがIOWN構想の中で提唱している**PFAM(Pooled/Flexible Access Memory)技術、またはそれを実現する光…
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- クロスメッシュ構造を用いた透明メタサーフェスの反射位相特性
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クロスメッシュ構造を用いた透明メタサーフェスの反射位相特性について。 これは、透明なフィルム上で…
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- 三菱電機モビリティ USB4
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三菱電機モビリティ(2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足)におけるUSB4への取り組み…
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- Ceyear 3674 VNAによる「相互変調歪み」測定
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Ceyear 3674 VNAによる「相互変調歪み」では下記パラメータの測定が可能です。 …
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- 分子スピン 量子デバイス アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)系…
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分子スピンや量子デバイスの実装において、**アルミニウム(Al)とニオブ(Nb)**系材料は二大巨頭です…
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- EMC村の民 iNARTE Certified EMC Engineer
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「EMC村の民」そして「エンジャー」という言葉をご存知の方は、日本のEMC業界における独特なコミュニテ…
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- SiCやGaNなど「スイッチング周波数の具体的な上限設定」
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SiC(シリコンカーバイド)やGaN(ガリウムナイトライド)といったワイドバンドギャップ(WBG)半導体の…
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- 「組紐(くみひも)」技術の導波管 メーカー
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「ミリ波帯(V-Band)」と「日本の伝統・組紐技術」を融合させたフレキシブル導波管を実現している具体…
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- DDR4 Fly-byトポロジ
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DDR4メモリ設計において、Fly-by(フライバイ)トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
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- W帯パワーアンプの開発 名古屋大学
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🛰️ 名古屋大学におけるW帯パワーアンプの開発 名古屋大学では、W帯(75~110 GHz)というミ…

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