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  • Junction-side Cooling(ジャンクション側冷却)
    **Junction-side Cooling(ジャンクション側冷却)**は、パワー半導体(SiC、GaN、またはLED)のチップ…
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  • DDR4 Fly-byトポロジ
    DDR4メモリ設計において、Fly-by(フライバイ)トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
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  • HFM から2.92mm変換アダプタ
    MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)の評価において、Rosenbergerの**HFM(High-Speed FAKRA-Mini)から2.92m…
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  • E²AGLE(Electric Aircraft Ground Lab Environment)テストプ…
    泰克が航空機の電気化(Electrification of Aviation)を支援し、特にドイツで進行中の研究プロジェクト…
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  • ECoGの動作原理
    ECoG(Electrocorticography:皮質脳波)の動作原理は、大脳皮質表面の電気的な活動を直接、高感度に計…
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  • パンクチャリングによる通信効率の改善
    パンクチャリング技術によって得られる通信効率の改善は、特に「電波が混み合っている環境」で劇的な差…
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  • チップレット搭載FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)
    チップレット技術を用いた**FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)**は、現代の高性能プロセッサ(AIアク…
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  • MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
    MgO-based MTJ(以下、MTJ)を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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  • プロセッサインメモリの市場機会
    プロセッサインメモリ(PIM: Processor-In-Memory)は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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  • EEPROMは成熟した不揮発性メモリ(NVM)今後は?
    EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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  • フォトニック結晶面発光レーザー
    フォトニック結晶面発光レーザー(PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser)は、次世代の光技…
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  • 共振インダクタとトランスの統合設計(磁気統合)
    磁気統合(Magnetic Integration)は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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  • 零電流スイッチング電流形単相インバータ
    零電流スイッチング(ZCS: Zero Current Switching)電流形単相インバータは、パワーエレクトロニクスの…
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  • PCIe Gen3やGen4などへの対応方法 絶縁
    PCIe Gen3(8Gbps)やGen4(16Gbps)といった高速規格を産業機器で絶縁する場合、Gen1/Gen2時代とは比較…
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  • 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
    3GPP Release 19で「再生ペイロード(Regenerative Payload)」が本格導入されたことに伴い、VNA(ベク…
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  • TSN(Time-Sensitive Networking)技術
    TSN(Time-Sensitive Networking)は、標準的なイーサネットを拡張し、**「確定的(デターミニスティッ…
    • Scope
  • FPGAを用いたOFDM復調回路の最適化
    FPGAを用いたOFDM復調回路の最適化、特にWi-SUN FAN 1.1(最大2.4 Mbps / 920MHz帯)や、RFSoC SOM(4.5…
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  • オシロスコープ CAN通信 デコード
    オシロスコープでCAN通信をデコードするとは?   CAN(Controller Area Network)通信は、車載シス…
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  • 「Zhouyi」X3 NPU IP エッジAIGC性能
    安謀科技(Arm China)がリリースした「周易(Zhou Yi)」X3 NPU IPは、特にエッジデバイス上でのAIGC(…
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  • Kamikaze III
    「Kamikaze III」ASICは、株式会社TRIPLE-1によって開発された、**ビットコインマイニング(採掘)および…
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