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- Junction-side Cooling(ジャンクション側冷却)
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**Junction-side Cooling(ジャンクション側冷却)**は、パワー半導体(SiC、GaN、またはLED)のチップ…
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- DDR4 Fly-byトポロジ
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DDR4メモリ設計において、Fly-by(フライバイ)トポロジは信号の品質を保ち、高速なデータ転送を実現す…
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- HFM から2.92mm変換アダプタ
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MultiGBASE-T1(IEEE 802.3ch)の評価において、Rosenbergerの**HFM(High-Speed FAKRA-Mini)から2.92m…
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- E²AGLE(Electric Aircraft Ground Lab Environment)テストプ…
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泰克が航空機の電気化(Electrification of Aviation)を支援し、特にドイツで進行中の研究プロジェクト…
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- パンクチャリングによる通信効率の改善
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パンクチャリング技術によって得られる通信効率の改善は、特に「電波が混み合っている環境」で劇的な差…
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- チップレット搭載FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)
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チップレット技術を用いた**FC-BGA(Flip Chip-Ball Grid Array)**は、現代の高性能プロセッサ(AIアク…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ(以下、MTJ)を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ(PIM: Processor-In-Memory)は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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- EEPROMは成熟した不揮発性メモリ(NVM)今後は?
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EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)は、1980年代の普及開始から約40年が経…
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- フォトニック結晶面発光レーザー
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フォトニック結晶面発光レーザー(PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser)は、次世代の光技…
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- 共振インダクタとトランスの統合設計(磁気統合)
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磁気統合(Magnetic Integration)は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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- 零電流スイッチング電流形単相インバータ
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零電流スイッチング(ZCS: Zero Current Switching)電流形単相インバータは、パワーエレクトロニクスの…
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- PCIe Gen3やGen4などへの対応方法 絶縁
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PCIe Gen3(8Gbps)やGen4(16Gbps)といった高速規格を産業機器で絶縁する場合、Gen1/Gen2時代とは比較…
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- 3GPP Release 19 VNAやVSGを用いた評価手法の変化
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3GPP Release 19で「再生ペイロード(Regenerative Payload)」が本格導入されたことに伴い、VNA(ベク…
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- TSN(Time-Sensitive Networking)技術
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TSN(Time-Sensitive Networking)は、標準的なイーサネットを拡張し、**「確定的(デターミニスティッ…
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- FPGAを用いたOFDM復調回路の最適化
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FPGAを用いたOFDM復調回路の最適化、特にWi-SUN FAN 1.1(最大2.4 Mbps / 920MHz帯)や、RFSoC SOM(4.5…
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- オシロスコープ CAN通信 デコード
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オシロスコープでCAN通信をデコードするとは? CAN(Controller Area Network)通信は、車載シス…
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- 「Zhouyi」X3 NPU IP エッジAIGC性能
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安謀科技(Arm China)がリリースした「周易(Zhou Yi)」X3 NPU IPは、特にエッジデバイス上でのAIGC(…
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- Kamikaze III
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「Kamikaze III」ASICは、株式会社TRIPLE-1によって開発された、**ビットコインマイニング(採掘)および…

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