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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
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2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
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トレンチ（溝）側壁の保護膜厚の制御は、半導体プロセスにおいて**「垂直なエッチング形状（異方性）」*…
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オシロスコープ GaN測定対応とは？ GaN（窒化ガリウム）は、近年注目されている高効率・高速スイ…
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アクティブプリチャージ（Active Pre-Charge）回路で、降圧（Buck）トポロジのスイッチングコンバータを…
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「ダイ・トゥ・ウェーハ・ハイブリッド接合（Die-to-Wafer Hybrid Bonding）」は、主に半導体の**3次元…
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USB4（および最新のUSB4 Version 2.0）は、現在、パソコンメーカーから周辺機器メーカー、さらには内部…
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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Intelの製造プロセスにおける**18A（1.8nmクラス）と14A（1.4nmクラス）**は、単なる微細化のステップで…
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PsiQuantumがブリスベンで建設中の「100万量子ビット機」が完成すると、計算の世界は「予測」から「シミ…
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名城大学の三宅教授らが確立したHTA（High-Temperature Annealing：高温熱処理）技術は、サファイア基板…
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オシロスコープでの波形観測方法とは？ オシロスコープは、電気信号の電圧の時間的変化（波形）を視覚的…
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承知いたしました。4chコヒーレント信号発生器が、高速無線通信技術であるMIMO (Multiple-Input Multipl…
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QST基板を用いた高耐圧GaN HEMTデバイスは、従来のシリコン（Si）基板上GaNデバイスが抱えていた課題を…
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🚀 200G/レーン SerDesの技術成熟度 200G/レーン (200G/lane) のシリアライザ/デシリアライザ（SerDes…
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パワースピン株式会社が核とする2つの革新的技術、STT-MRAMとロジック・イン・メモリについて、その仕組…
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…