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- 米PsiQuantum（サイクォンタム）
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米国のスタートアップ PsiQuantum（サイクォンタム） とオーストラリアの関係は、現在（2026年）、量子…
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- 名城大学 三宅秀人先生 深紫外レーザーダイオード（UV-LD）開…
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名城大学の三宅秀人教授らのグループによる研究成果。まさに、サファイア基板を用いた深紫外レーザーダ…
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- オシロスコープで電流を測定するには？
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オシロスコープで電流を測定するには？ オシロスコープは本来、電圧波形を観測する装置ですが、電流測定…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- GPUとCNNの関係
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GPUとCNNの関係は、「GPUの並列計算能力」が「CNNの膨大な演算」を可能にするという、切っても切れない…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社（PowerSpin Inc.）は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- GaN系材料におけるドーパント原⼦配列解析
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GaN（窒化ガリウム）はパワーデバイスやLEDとして非常に優れた特性を持ちますが、その性能を最大限に引…
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- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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- 「Soitec以外の競合技術（バルクSiでの補正など）」
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SoitecのRF-SOI（およびRFeSI）は、Wi-Fi 7や5Gミリ波の市場において圧倒的なシェアを持っていますが、…
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- MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレ…
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
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- DRAMとNANDフラッシュ最新スマホへの影響
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2026年現在の最新スマートフォン市場において、DRAM（メモリ）とNANDフラッシュ（ストレージ）の価格高…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- トレンチ側壁の保護膜厚の制御
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トレンチ（溝）側壁の保護膜厚の制御は、半導体プロセスにおいて**「垂直なエッチング形状（異方性）」*…