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- プロセッサインメモリの市場機会
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プロセッサインメモリ（PIM: Processor-In-Memory）は、データ処理をメモリ内部で行うことで、「メモリ…
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- TLM (Transfer Length Method)
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TLM (Transfer Length Method / 伝送長法) は、CBKRと並んで半導体評価の柱となる手法です。CBKRが「コ…
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- パワー半導体のSiトレンチ
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パワー半導体（IGBTやMOSFET）のSiトレンチ形成では、耐圧特性やオン抵抗に直結する**「トレンチ形状の…
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- 2000 V整流器とは
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2000 V整流器とは、交流（AC）を直流（DC）に変換する電子部品であり、2000ボルト（V）という高い電圧に…
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- HAMRの次、将来技術HDMR（ドット記録）
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HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR（熱補助磁気記録）**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
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- DONUT LABの全固体電池
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フィンランドのテクノロジー企業 DONUT LAB（ドーナツラボ） は、2026年1月に開催されたCES 2026にて、*…
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- 米Allegro MicroSystems社のACSシリーズ
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完全統合型ホール電流センサーは、米Allegro MicroSystems社のACSシリーズが事実上の世界標準（業界標準…
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- サファイア基板上AlGaN系レーザーダイオードの318 nm室温CW発振
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サファイア基板を用いたAlGaN系深紫外レーザーダイオード（UV-LD）における318 nmでの室温連続波（CW）…
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- C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは
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C–Vプロファイリング（C–V Profiling）とは ～半導体中のドーピング分布や拡散深さを非破壊で評価する解…
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- ワイドバンドギャップ半導体デバイス技術
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ワイドバンドギャップ（WBG: Wide Band Gap）半導体デバイス技術は、従来のシリコン（Si）半導体の限界…
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- AUTO TECH China 2025 で最新の車載 AI
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AUTO TECH China 2025での最新の車載AIについて 2025年の中国の車載AIのトレンドから、以下の様な分野…
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- サブテラヘルツ帯光電融合技術
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サブテラヘルツ帯光電融合技術は、エレクトロニクス（無線）技術とフォトニクス（光）技術の知見や要素…
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- SiC MOSFET「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層」
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SiC MOSFETの最新技術である**「二重トレンチ（Double Trench）」や「電界緩和層（シールド層）」**は、…
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- 積層プロセスやMicronの進捗 HBM4
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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異…
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- 透明なスマホ 発電OLED
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「発電もできる透明なスマホ」は、SF映画に出てくるような**「向こう側が透けて見える板なのに、画面が…
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- 京都大学（若宮研）ペロブスカイト太陽電池社会実装
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京都大学の若宮淳志教授の研究室は、桐蔭横浜大（宮坂研）と並び、日本のペロブスカイト太陽電池研究を…
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- EFG法による150 mm β-Ga2O3 単結晶の育成
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酸化ガリウム（β-Ga2O3）は、その広いバンドギャップ（約4.8 eV）と高い絶縁破壊電界により、次世代のパ…
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- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
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六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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- CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）
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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…