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- エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
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エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）は、東京エレクトロン（TEL）が提唱・開発した、**「削ら…
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- TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計
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TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計は、単に配線をつなぐだけでなく、「寄生抵抗」と「熱」の影響をい…
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- Radical/Ion switch機能
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「Radical/Ion switch（ラジカル/イオン・スイッチ）」機能について。これは主に、**LC-MS（液体クロマ…
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- WBG半導体とともに使用するコンデンサ
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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- チップレット構造基板向け絶縁材料
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チップレット搭載のFC-BGA基板において、世界シェアを独占し、事実上の業界標準となっているのが**「味…
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- EMIB-Tで採用されるHBM4（次世代メモリ）との連携
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2025年に詳細が発表されたEMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）は、次世代メモリ…
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- Si（シリコン）、SiO2（酸化膜）、および低誘電率（Low-k）膜
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極低温でのHF（フッ化水素）プラズマエッチングは、材料ごとに異なるユニークな反応特性を示します。 S…
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- EVにおいて、I3C EEPROMの役割
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EV（電気自動車）の設計において、I3C EEPROMがデファクトスタンダード（事実上の標準）になりつつある…
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- PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術
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PCSELにおける電子スキャン（ビーム走査）技術は、可動部（モーターやミラー）を一切排除しながら、光の…
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- CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは
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CVU（Capacitance–Voltage Unit）とは ～半導体デバイスのC–V測定に特化した専用測定モジュール～ ■ …
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- 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
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縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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- 公共の急速充電器（スーパーチャージャー）
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公共の急速充電器（一般にDC急速充電器または「スーパーチャージャー」と呼ばれます）は、電気自動車（E…
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- SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
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最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
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- HBM4（第6世代広帯域メモリ）
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HBM4（第6世代広帯域メモリ）は、AIやハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）の爆発的な需要に応…
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- 発電もできる有機EL素子
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「発電もできる有機EL素子」という技術は、次世代のエネルギーデバイスとして非常に注目されています。…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）、応用物理学会（JSAP）での発表
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2026年2月現在**応用物理学会（JSAP）**は、ペロブスカイト太陽電池（PSC）の研究者や企業担当者が一堂…
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- 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題
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二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
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現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…