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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- クロスバアレイの原理
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クロスバアレイ（Crossbar Array）は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算（積和演算）」を回路レベル…
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- 回転機・静止器設計におけるAI活用
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回転機（モータ・発電機）や静止器（変調器・受動素子）の設計現場では、従来の「熟練者の経験と勘」に…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）は、次世代の太陽電池として最も注目されている技術の一つです。シリコン…
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- 低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューション
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低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューションは、主にIoT、ウェアラブルデバイス、およびバッ…
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- CFET 裏面電源供給（Backside Power）
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**裏面電源供給（Backside Power Delivery Network: BSPDN）**は、半導体チップの「電源の通り道」を劇…
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- MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレ…
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
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- 第7世代以降のIGBTの具体的な特徴
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第7世代以降のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が、それまでの世代と何が違い、どのような特…
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- AIモデル（YOLOv8など）NVIDIA vs. Hailo
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AIモデル（特にYOLOv8など）をこれら2つのプラットフォームで動かした場合、そのパフォーマンス特性は対…
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- PCSELの開発 社会実装
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PCSELの開発は、京都大学の野田進教授を中心とした産学連携プロジェクトにより、日本企業が世界を大きく…
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- DC-DCコンバータ GaN/SiCデバイスを用いた最新の設計事例
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GaN（窒素ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）といったワイドバンドギャップ（WBG）半導体の普及により、双方…
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- 全固体電池のインピーダンス解析
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全固体電池のインピーダンス解析（EIS: 電気化学インピーダンス分光法）は、電池を壊さずに内部で何が起…
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- ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは
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ドーピングプロファイル（Doping Profile）とは ～半導体中の不純物濃度分布を可視化する重要パラメータ…
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- SiインターポーザーやRDLインターポーザー上で複数のロジックチ…
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この技術は、2.5次元 (2.5D) インテグレーションと呼ばれる、高性能半導体の集積技術の中核をなすもので…
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- 高電圧に耐えるように設計された抵抗器
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高電圧抵抗器（高耐圧抵抗器）は、印加される電圧が高くても故障せず、安定した抵抗値を示すように特別…
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- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
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ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
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- 車載48Vシステムの具体的な回路設計
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48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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- DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画…
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DONUT LAB（ドーナツラボ）の全固体電池の「価格」と「供給計画」については、これまでの電池開発の常識…
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- vdW積層材料 電子の動きを1層の中に閉じ込める
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電子を1層（2次元）の中に閉じ込めることは、vdW積層材料の驚異的な物性を生み出す根本的なメカニズムで…
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- 二次元物質のヘテロ構造 実用化（大面積化）の課題
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二次元物質のヘテロ構造、特に「魔法角」のような精密な物性を産業レベルで利用するためには、いくつか…
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