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- vdW積層材 モアレ光学
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「モアレ光学（Moiré Optics）」は、vdW積層材料の物理学において現在最もエキサイティングなフロンティ…
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- 原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度…
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原子1層という極限の薄さで「1.1度」というピンポイントな角度を狙うのは、まさに神業に近い世界です。…
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- MAB ポート間の干渉をデカップリング（非干渉化）する制御
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MAB（マルチ・アクティブ・ブリッジ）型コンバータにおいて、最大の技術的ハードルは「ポートAからBへ電…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
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QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- クロスバアレイの原理
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クロスバアレイ（Crossbar Array）は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算（積和演算）」を回路レベル…
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- 高感度なCNT赤外線センサー 京都工芸繊維大学、中央大学、産総…
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京都工芸繊維大学、中央大学、そして産業技術総合研究所（産総研）の研究チームによる**「高感度なCNT（…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- 「第8世代IGBT」再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）分…
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再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）の分野でも、第8世代IGBTと今回解明された「水素のメカニズ…
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- EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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- フォトニック結晶面発光レーザー
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フォトニック結晶面発光レーザー（PCSEL: Photonic-Crystal Surface-Emitting Laser）は、次世代の光技…
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- ZVS（ソフトスイッチング）を維持するための位相差の制約条件
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4ポート磁気結合コンバータ（マルチアクティブブリッジ：MAB）において、ZVS（ゼロ電圧スイッチング）を…
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- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…