-
- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
-
IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
-
- MgO-based magnetic tunnel junctions とは
-
MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) とは、スピン（電子の磁気的性質）を利用した次世代デ…
-
- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
-
2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
-
- JetsonとHailoを比較
-
エッジAI市場における2大巨頭、NVIDIA JetsonとHailoを比較すると、その設計思想（アーキテクチャ）の違…
-
- 多重共鳴熱活性化遅延蛍光分子
-
「多重共鳴熱活性化遅延蛍光（Multiple Resonance Thermal Activated Delayed Fluorescence, MR-TADF）…
-
- MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは
-
MOSキャパシタ（MOS Capacitor）とは ～金属‐酸化膜‐半導体構造を持つ基本的なC–V測定用デバイス～ ■ …
-
- 高電圧に耐えるように設計されたコンデンサー
-
高電圧（HV）コンデンサーは、数千ボルト（V）以上の電圧に耐え、安定して動作できるように特殊な設計が…
-
- 日本のデータセンターにおけるHDD/SSD採用の現状
-
2025年現在の日本国内のデータセンターにおけるHDDとSSDの採用状況は、**「AIインフラへの投資集中」と…
-
- 48V車載パワー・システム
-
48V車載パワー・システム（48V車載電源システム）は、従来の12V電源に代わる、あるいは並列して導入され…
-
- DONUT LABの全固体電池 体積エネルギー密度（サイズ感）
-
DONUT LABの全固体電池における「体積エネルギー密度（サイズ感）」は、実は同社が最も明言を避けている…
-
- vdW積層材料 特定の物理現象
-
vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
-
- HTA技術のプロセス詳細
-
名城大学の三宅教授らが確立したHTA（High-Temperature Annealing：高温熱処理）技術は、サファイア基板…
-
- 温度依存C–V特性とは
-
温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…
-
- グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命
-
⚡ グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命 「グリッドからゲートへ」という表現は、…
-
- ペロブスカイト太陽電池
-
ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト構造と呼ばれる特定の結晶構造を持つ化合物を発電層に用いた…
-
- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
-
テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
-
- ストレージ技術とメモリ技術の進化
-
ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
-
- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
-
富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
-
- 中谷真人先生 科学技術振興機構（JST）のERATOプロジェクト
-
中谷真人先生が名古屋大学に着任される前に携わっていたJST ERATO（戦略的創造研究推進事業）プロジェク…
-
- α-Ga2O3（アルファ型）
-
β-Ga2O3（ベータ型）が安定相であるのに対し、**α-Ga2O3（アルファ型）**は「コランダム構造」を持つメ…