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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- TLPB（過渡液相接合）高温接合技術 SiC
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**TLPB（Transient Liquid Phase Bonding：過渡液相接合）**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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- SCM（ストレージクラスメモリ）「ストレージ化する半導体メモリ…
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ストレージクラスメモリ（SCM: Storage Class Memory） 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
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- TOPS/Wの算出根拠
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TOPS/Wは、AIチップの「電力効率」を示す最も重要な指標の一つです。この数値の算出根拠は、大きく分け…
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- ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
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「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池（PVK/OSC Tandem）」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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- ZVS（ソフトスイッチング）を維持するための位相差の制約条件
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4ポート磁気結合コンバータ（マルチアクティブブリッジ：MAB）において、ZVS（ゼロ電圧スイッチング）を…
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有機LAPS（光走査型電位センサー）における**IV特性（電流-電圧特性）**は、デバイスの感度や空間分解能…
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- AI業界の焦点が学習から推論へと移行 記憶媒体への影響
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2024年から2025年にかけて、AI業界のパラダイムは「巨大モデルをいかに作るか（学習）」から、**「作っ…
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- 車載規格（AEC-Q100など）
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車載規格、特に AEC-Q100 は、半導体が自動車という過酷な環境で「10年・15万キロ」使い続けられること…
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- DONUT LABの全固体電池 材料 プロセス
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DONUT LABの全固体電池は、従来の電池開発の常識を覆すような「独自の材料構成」と「新しい製造プロセス…
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- vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）
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vdW積層構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）の面白い点は、原子1層レベルの「レゴブロック」のよう…
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- 特定次数の高調波が削減可能な双方向絶縁型DC-DCコンバータ
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双方向絶縁型DC-DCコンバータ（DABやMABなど）において、**「特定次数の高調波削減（Selective Harmonic…
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- ACアダプタからの漏れ磁束によるハーベスティング
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ACアダプタや電源ケーブルから発生する**漏れ磁束（磁界）**を利用したエネルギーハーベスティングは、…
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- 酸化膜電荷（Oxide Charge）とは
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酸化膜電荷（Oxide Charge）とは ～MOS構造における電気的特性に大きく影響する固定電荷～ ■ 定義 **…
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- メモリ不足によりテクノロジー業界でパニック買いが発生
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DigiTimesによると、メモリ調達ブームは2025年第4四半期に激化し、サプライチェーン全体でパニック買いを…
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- 800VシステムのEV SiC MOSFET
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ポルシェ・タイカンやヒョンデ・アイオニック5などが採用する**「800Vシステム」**は、EVの歴史における大…
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2026年1月、NVIDIAは次世代AIプラットフォーム**「Rubin（ルービン）」を正式に発表しました。HBM4は単…
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