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- BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか？
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…
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- 次世代半導体技術（Emerging semiconductor technologies）
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2026年現在、半導体技術は「生成AIの爆発的普及」と「微細化の物理的限界」という2つの大きな転換点に直…
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- コイン電池で駆動する低電圧な小型BLE SoC
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低電圧・コイン電池（CR2032など）での駆動を前提とした小型BLE（Bluetooth Low Energy）SoCは、現在のI…
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- 強誘電体薄膜 脳型メモリ素子
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強誘電体薄膜を用いた**「脳型メモリ素子（ニューロモルフィック素子）」**は、現在の計算機の限界（フ…
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- ドーパント原⼦配列解析
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ドーパント原子配列解析（Dopant Atomic Configuration Analysis）は、半導体デバイスの微細化に伴い、…
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- 半導体CV特性測定器とは
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半導体CV特性測定器とは、半導体素子に対して印加する電圧と、それに対する静電容量の変化を測定する装置…
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- GaN 電力変換効率 向上方法と寄生容量
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、従来のSi（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能で、電力変…
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- ダブルゲート構造IEGT技術
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ダブルゲート構造IEGT技術は、従来のIEGT（シングルゲート構造）が抱えていた、導通損失（オン電圧）と…
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- Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
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**OCTRAM（Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM）**は、キオクシアと台湾の南亜科技（Nanya Tec…
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- HPC/AIインターコネクトの技術動向
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2026年現在、HPC（高性能計算）とAIの境界はほぼ消滅し、インターコネクト技術は「単なる通信路」から「…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- MicroVFD（可変周波数ドライブ）メリット
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QPTのMicroDynoおよびそのコア技術であるMicroVFD（可変周波数ドライブ）は、EV（電気自動車）と産業用…
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- ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
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「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池（PVK/OSC Tandem）」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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- SiCやGaNは寄生容量 Cossが小さい
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SiCやGaNの最大の特徴の一つである出力寄生容量 Coss の小ささは、絶縁型Y-Δ SR-SABの動作、特にソフト…
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- 酸化膜厚（Oxide Thickness）とは
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酸化膜厚（Oxide Thickness）とは ～MOS構造や絶縁膜評価における基本指標～ ■ 定義 酸化膜厚（Oxide…
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- チップレットパッケージ基板とは
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チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット（機能ごとに分割された半導体ダイ）**を電気的…
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- 複素オールパスフィルタによるPMSMのトルクリプル抑制制御
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PMSM（永久磁石同期モータ）のトルクリプル抑制制御に複素オールパスフィルタを用いる手法は、近年研究…
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- TOLT (TO-leadless top-side cooling) TSPAK (TO-leaded small…
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TOLT (TO-Leadless Top-side Cooling)とTSPAK (TO-Leaded Small-outline Package)は、主にSiC（炭化ケイ…
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- 高エネルギーイオン注入によるSiCパワーデバイス劣化抑制
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入を用いた劣化抑制技術は、主に**「バイ…
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- 48V車載システムにおける保護部品（eFuse / 理想ダイオード）
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48V車載システムにおいて、eFuse（電子ヒューズ）と理想ダイオードは、システムの信頼性と安全性を支え…