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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- PCSELの開発 社会実装
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PCSELの開発は、京都大学の野田進教授を中心とした産学連携プロジェクトにより、日本企業が世界を大きく…
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- ゲートバイアス（Gate Bias）とは
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ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
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- SiCやGaNウェハの加工技術
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SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のSi（シリコン）よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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- ハーフブリッジ フルブリッジ
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ハーフブリッジとフルブリッジは、パワーエレクトロニクス回路の基本的な構成であり、主にインバーター…
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- SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける信頼性課題
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおいて、バイポーラ劣化（積層欠陥の拡張）以外に最も重要視される信…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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- ペロブスカイト太陽電池「重ね貼り施工」
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ペロブスカイト太陽電池における**「重ね貼り施工」**（またはタンデム構造、既存物への後付け施工）は…
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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- YMTCのXtacking®技術の詳細
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YMTCのXtacking®（エクスタッキング）技術は、従来の3D NANDフラッシュメモリの構造的な制約を打破し、…
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- ロジック・イン・メモリ
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**ロジック・イン・メモリ（Logic-in-Memory）**は、現在のコンピューターが抱える最大の弱点である「デ…
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- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
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300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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- エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
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エクストリーム・レーザー・リフトオフ（XLO）は、東京エレクトロン（TEL）が提唱・開発した、**「削ら…
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- TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計
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TEG（ケルビン接続）のレイアウト設計は、単に配線をつなぐだけでなく、「寄生抵抗」と「熱」の影響をい…
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- Radical/Ion switch機能
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「Radical/Ion switch（ラジカル/イオン・スイッチ）」機能について。これは主に、**LC-MS（液体クロマ…
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- スイープ機能・ロギング機能とは
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スイープ機能・ロギング機能とは ～電源・SMU・測定器を使いこなすための基礎知識～ スイープ機能（S…
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- WBG半導体とともに使用するコンデンサ
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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- チップレット構造基板向け絶縁材料
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チップレット搭載のFC-BGA基板において、世界シェアを独占し、事実上の業界標準となっているのが**「味…
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- EMIB-Tで採用されるHBM4（次世代メモリ）との連携
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2025年に詳細が発表されたEMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）は、次世代メモリ…