-
- RF-SOIを採用した最新のFEM(フロントエンドモジュール)製品の…
-
RF-SOIを採用した最新のFEM(フロントエンドモジュール)製品の動向は、2024年から2025年にかけて大きな…
-
- ガラスコア基板におけるABFの役割
-
次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板(Glass Core Substrate)」**において…
-
- SCM(ストレージクラスメモリ)「ストレージ化する半導体メモリ…
-
ストレージクラスメモリ(SCM: Storage Class Memory) 「ストレージ化する半導体メモリ」 これは、従…
-
- 単一のプラズモンを読み出す技術
-
プラズモン量子回路において、演算結果としての「単一のプラズモン」を読み出す技術は、回路の出口で**…
-
- テラヘルツ波による超大容量無線LAN伝送技術の研究開発
-
株式会社国際電気通信基礎技術研究所(以下「ATR」)、国立大学法人東京科学大学、学校法人千葉工業大学、…
-
- アンテナ測定「近傍界(Near-field)」と「遠方界(Far-field)…
-
アンテナ測定において、**「どこで測るか(距離)」**は非常に重要です。電波はアンテナからの距離によ…
-
- 800ZR/ZR+モジュール
-
800ZR/ZR+モジュールは、コヒーレント光通信技術を採用した、次世代の超高速プラガブル光トランシーバモ…
-
- QV帯デジタルビームフォーミングアンテナ
-
🛰️ QV帯デジタルビームフォーミングアンテナについて QV帯デジタルビームフォーミングアン…
-
- 伊東 健治先生 (金沢工業大学)
-
伊東 健治(いとう けんじ)教授は、金沢工業大学 工学部 電子情報システム工学科に所属する研究者で、*…
-
- MMF 1060nm モード分散最小
-
💡 MMF 1060nm 「MMF 1060nm」は、光ファイバー通信、特に短距離・大容量伝送のための新しい技術分野…
-
- 光チップレット・実装技術
-
光チップレット・実装技術は、半導体の高性能化と低消費電力化を同時に実現する次世代の集積化技術です…
-
- 無線・光融合基盤技術分野における中国との差
-
🇨🇳 「無線・光融合基盤技術分野」における中国との差 無線・光融合基盤技術(Beyond 5G / 6G)の研究開…
-
- FD-SOI FET の構造的特徴
-
FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
-
- HAMRの次、将来技術HDMR(ドット記録)
-
HDDの将来技術は、現在主流になりつつある**HAMR(熱補助磁気記録)**を基礎とし、そこに「ディスクの表…
-
- トレンチ型SiC-MOSFET、プレーナ型が抱えていた物理的な限界打破
-
トレンチ型SiC-MOSFETは、従来のプレーナ型が抱えていた物理的な限界(JFET抵抗やセル密度の制約)を打…
-
- 農場でのセンサー収集、都市部でのインフラ監視
-
農場でのセンサー収集と都市部でのインフラ監視。これらはWi-SUN FANの「広域性」「高密度」「マルチホ…
-
- NanoVNA LiteVNA ADL5961
-
NanoVNA や LiteVNA はまさに、ADL5961のような高度な集積チップが登場する前に、「既存の低価格チップ…
-
- Q/Vバンドで使われる高効率な GaN(窒化ガリウム)増幅器 の特性
-
Q/Vバンド(40/50GHz帯)の衛星通信において、**GaN(窒化ガリウム)を用いた高出力増幅器(SSPA/HPA)*…
-
- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
-
プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI(磁気共鳴画像法)の分野において、主に超軽量でフレキ…
-
- メタサーフェス Reconfigurable Intelligent Surface (RIS)
-
メタサーフェス(Metasurface)とReconfigurable Intelligent Surface (RIS)は、電磁波を操作するための…
