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  • IDC、「Global Data Sphere Forecast (2024-2029)
    IDC(International Data Corporation)が発表した「Global DataSphere Forecast, 2024-2029」によると…
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  • レーザー励起電子加熱による透明材料の超高速穴あけ加工
    レーザー励起電子加熱を利用した透明材料(ガラスやサファイアなど)の超高速穴あけ加工は、現代のマイ…
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  • 第8世代IGBT EVの航続距離
    EV(電気自動車)の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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  • Broadcomの完全統合型ホール電流センサー
    Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー(Fully Integrated Hall Effect Current Sensor)」は、主に…
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  • ハンディ・オシロスコープとは
    ハンディ・オシロスコープとは ハンディ・オシロスコープとは、持ち運び可能なコンパクト設計のオシロス…
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  • レクテナの高効率化
    レクテナ(Rectenna: Rectifying Antenna、整流アンテナ)の高効率化は、ワイヤレス電力伝送(WPT)シス…
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  • Arm vs. RISC-V
      💻 Arm vs. RISC-V: 命令セットアーキテクチャの比較   ArmとRISC-Vは、現代のデジタルデバイ…
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  • パイソン パイトーチ
    PyTorch(パイトーチ)は、Pythonで書かれたオープンソースの機械学習ライブラリで、特に**ディープラー…
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  • 車載向けに特化したUSB4の耐久性基準
    車載環境は、家庭やオフィスとは比較にならないほど過酷です。そのため、車載向けUSB4デバイスやコネク…
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  • SiC MOSFET、プレーナー型からトレンチ型へ
    最新のSiC MOSFETは、これまで主流だったプレーナー型から、より高効率なトレンチ型へと移行が進んでい…
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  • 車載48Vシステムの具体的な回路設計
    48Vシステムの回路設計は、単に電圧を上げるだけでなく、従来の12V系との「協調」と、高出力化に伴う「…
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  • トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
    2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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  • メモリデバイスの試験対象となる不良 セル間干渉
    メモリデバイスの試験において、セル間干渉(Cell-to-Cell Interference, CCI)によって生じる不良は、…
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  • 六フッ化タングステン:半導体製造における「隠れたヒーロー」
    六フッ化タングステン(Tungsten Hexafluoride, WF6)は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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  • Broadcom の「FBAR フィルター」がなぜ Wi-Fi 7 で重要なのか
    Broadcomの FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator:空隙型バルク弾性波)フィルター が Wi-Fi 7 で決定的…
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  • CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
    IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート(GAA)構造」の次に控える2030年前後の…
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  • 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
    300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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  • CXLの仕組み
    CXL(Compute Express Link)を一言で言えば、**「CPU、アクセラレータ(GPU等)、メモリを、まるで一つ…
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  • TOPS/Wの算出根拠
    TOPS/Wは、AIチップの「電力効率」を示す最も重要な指標の一つです。この数値の算出根拠は、大きく分け…
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  • プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
    プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI(磁気共鳴画像法)の分野において、主に超軽量でフレキ…
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