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- メモリデバイスの試験対象となる不良 セル間干渉
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メモリデバイスの試験において、セル間干渉（Cell-to-Cell Interference, CCI）によって生じる不良は、…
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- 六フッ化タングステン：半導体製造における「隠れたヒーロー」
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六フッ化タングステン（Tungsten Hexafluoride, WF6）は、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称…
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- Broadcom の「FBAR フィルター」がなぜ Wi-Fi 7 で重要なのか
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Broadcomの FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator：空隙型バルク弾性波）フィルター が Wi-Fi 7 で決定的…
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- CFET IntelやTSMCのロードマップにおける位置付け
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IntelやTSMCの最新のロードマップにおいて、CFETは「ナノシート（GAA）構造」の次に控える2030年前後の…
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- 300°CにおけるSiCの物理的な特性変化
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300°Cという極限環境において、4H-SiC MOSFETの物理特性は常温時とは大きく異なります。設計や運用にお…
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- TOPS/Wの算出根拠
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TOPS/Wは、AIチップの「電力効率」を示す最も重要な指標の一つです。この数値の算出根拠は、大きく分け…
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- DC/DCコンバーターの「脳」フィードバック制御
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DC/DCコンバーターの「脳」にあたるのがフィードバック制御です。出力電圧が目標からズレないよう、常に…
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- 特定次数の高調波が削減可能な双方向絶縁型DC-DCコンバータ
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双方向絶縁型DC-DCコンバータ（DABやMABなど）において、**「特定次数の高調波削減（Selective Harmonic…
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- POMの具体的な化学構造（ケギン型など）
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POM（ポリオキソメタレート）は、その構造によって電子の保持能力（蓄電性）や誘電特性が大きく異なりま…
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- プリンテッド エレクトロニクスの技術 小児MRIへの応用
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プリンテッドエレクトロニクスの技術は、小児MRI（磁気共鳴画像法）の分野において、主に超軽量でフレキ…
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- T527シリーズコアボード
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T527シリーズコアボード： T527シリーズは、組み込みシステムや産業用アプリケーション向けに設計され…
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- 20Gs/s 12bit 4ch ADC市販品
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20 Gs/s (ギガサンプル/秒)、12 bit のADC（アナログ-デジタルコンバータ）は、現在の商用ADCチップの中…
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- USB 3.3規格ってあるの？
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「USB 3.3」という規格は存在しません。 USB 3.xシリーズの最新規格は「USB 3.2」であり、その次の世代…
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- HDDとSSDの技術的な比較（HAMR vs QLC NANDなど）
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HDD（ハードディスク）とSSD（ソリッドステートドライブ）は、現在どちらも劇的な技術革新の渦中にあり…
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- レーザー励起電子加熱による加工の応用（石英ガラス、サファイ…
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透明材料の中でも、石英ガラスとサファイアは、その物理的性質（バンドギャップ、硬度、熱伝導率など）…
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- 第8世代IGBT 実際のEVに搭載される時期
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三菱電機などが発表した新技術（水素による電子生成メカニズムの解明）が実際のEVに搭載される時期は、*…
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- 米Allegro MicroSystems社のACSシリーズ
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完全統合型ホール電流センサーは、米Allegro MicroSystems社のACSシリーズが事実上の世界標準（業界標準…
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- PCSELの開発 社会実装
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PCSELの開発は、京都大学の野田進教授を中心とした産学連携プロジェクトにより、日本企業が世界を大きく…
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