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- SiC シングルトランジスタ駆動におけるクロストークの原理
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ローム（ROHM）などのパワーデバイス（特にSiC MOSFETやIGBT）における「シングルトランジスタ駆動」と…
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- EMIB-Tを搭載するIntelの次世代製品ロードマップ
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Intelの最新ロードマップ（2025年〜2026年）において、EMIB-Tは、単なる「パッケージング技術の一つ」で…
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- DONUT LABの全固体電池 体積エネルギー密度（サイズ感）
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DONUT LABの全固体電池における「体積エネルギー密度（サイズ感）」は、実は同社が最も明言を避けている…
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- 米PsiQuantum（サイクォンタム）
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米国のスタートアップ PsiQuantum（サイクォンタム） とオーストラリアの関係は、現在（2026年）、量子…
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- 名城大学 三宅秀人先生 深紫外レーザーダイオード（UV-LD）開…
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名城大学の三宅秀人教授らのグループによる研究成果。まさに、サファイア基板を用いた深紫外レーザーダ…
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- 変流器を用いた双方向絶縁型多相DC-DCコンバータ
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変流器（カレントトランスフォーマ：CT）を用いた双方向絶縁型多相DC-DCコンバータは、高出力密度と高効…
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- LLCにおけるトランスの寄生容量
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LLC共振コンバータをMHz帯で駆動する場合、トランスの**寄生容量（浮遊容量）はもはや「無視できるノイ…
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- マイコンEOLにどう向き合うか
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マイコンの**EOL（End of Life：生産終了）**通告は、設計者や調達担当者にとって心臓に悪いニュースで…
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- オシロスコープで電流を測定するには？
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オシロスコープで電流を測定するには？ オシロスコープは本来、電圧波形を観測する装置ですが、電流測定…
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- スパイラルダイポール形送電素子
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スパイラルダイポール形送電素子による伝送路を構築し、共鳴型ワイヤレス電力伝送技術による道路走行中の…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- GPUとCNNの関係
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GPUとCNNの関係は、「GPUの並列計算能力」が「CNNの膨大な演算」を可能にするという、切っても切れない…
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- パワースピン株式会社の挑戦
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パワースピン株式会社（PowerSpin Inc.）は、東北大学発のスタートアップとして、次世代の半導体メモリ…
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- SiC vs GaN（窒化ガリウム）(車載）
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2026年現在のパワー半導体市場において、テスラがSiC（炭化ケイ素）に代わって**GaN（窒化ガリウム）を…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- LoRa ESP32」マイコンボード
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ESP32は、Arduino IDEで開発できるマイコンの中でもWi-FiとBluetoothが標準搭載されており、LoRa-Wi-Fi…
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- GaN系材料におけるドーパント原⼦配列解析
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GaN（窒化ガリウム）はパワーデバイスやLEDとして非常に優れた特性を持ちますが、その性能を最大限に引…
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- 可変漏れ磁束モータ VLFM
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「可変漏れ磁束モータ（Variable Leakage Flux Motor, VLFM）」は、これまでのSPMSMやIPMSMの「弱点」を…
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- 電源ICの応答性能（ロードレギュレーション）
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「瞬間的な電圧降下を見逃したくない」という目的において、**ロードレギュレーション（負荷変動に対す…
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