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- QST (Qromis Substrate Technology) 基板
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QST (Qromis Substrate Technology) 基板は、GaN（窒化ガリウム）デバイスの成長に特化して開発された複…
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- ガラス基板やハイブリッドボンディング要素技術
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次世代ヘテロジニアス・インテグレーション（HI）を支える2つの核となる要素技術、**「ガラス基板」と「…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- ウェハを極限まで薄く削る技術動向
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ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- パワー半導体のSiトレンチ
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パワー半導体（IGBTやMOSFET）のSiトレンチ形成では、耐圧特性やオン抵抗に直結する**「トレンチ形状の…
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- ソフトスイッチング（ZVS/ZCS）が成立する条件
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絶縁型Y-Δ SR-SABにおいて、ソフトスイッチング（ZVS: ゼロ電圧スイッチング、ZCS: ゼロ電流スイッチン…
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- GaN 電力変換効率 向上方法 寄生インダクタンス
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GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスは、Si（シリコン）に比べて高速スイッチングが可能でオン抵抗も低い…
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- 「UEC対応チップ」の性能
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2026年現在、UEC（Ultra Ethernet Consortium） Specification 1.0/1.1に準拠したチップセットは、従来…
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- 「第8世代IGBT」再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）分…
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再生可能エネルギー（太陽光発電や風力発電）の分野でも、第8世代IGBTと今回解明された「水素のメカニズ…
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- EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新…
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EEPROM市場を牽引する主要3社（ST、Microchip、ローム）の最新動向とロードマップを整理しました。 202…
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- HTA技術のプロセス詳細
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名城大学の三宅教授らが確立したHTA（High-Temperature Annealing：高温熱処理）技術は、サファイア基板…
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- 3コイル球面モータ 多自由度ロボット関節
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3コイル球面モータを用いたロボット関節は、まさに「機械的な肩」や「股関節」を実現するための理想的な…
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- 光の準粒子とキラル物質科学
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光の準粒子（主にポラリトン）とキラル物質科学の融合は、次世代の光子工学や材料科学において極めて重…
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- 高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは
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高周波C–V測定（High-Frequency C–V）とは ～界面準位の影響を除いたMOS構造の静電容量特性評価法～ ■…
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- パワーデバイスのウエハプロセスは論理チップと何が違う？
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パワーデバイスのウェハプロセスは、スマートフォンやPCに使われる論理チップ（ロジックIC）やメモリチ…
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- TSC packages MOSFET diode circuits
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TSC (Top-Side Cooling)パッケージをMOSFETとダイオードを組み合わせた回路で使用することの主な目的は…
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