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- 48V車載パワー・システム
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48V車載パワー・システム（48V車載電源システム）は、従来の12V電源に代わる、あるいは並列して導入され…
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- DONUT LABの全固体電池 体積エネルギー密度（サイズ感）
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DONUT LABの全固体電池における「体積エネルギー密度（サイズ感）」は、実は同社が最も明言を避けている…
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- vdW積層材料 特定の物理現象
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vdW積層材料において、従来の材料では考えられないような**「特定の物理現象」**がいくつか発見されてい…
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- 2次元材料（TMDなど）が持つ「光」の性質
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二次元半導体、特に**遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD：MoS2, WSe2など）**の光学的性質は、従来のバル…
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- 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度
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FIP制度（フィード・イン・プレミアム）の仕組み 太陽光発電におけるFIP（Feed-in Premium）制度は、従…
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- 熱によるペロブスカイト太陽電池の性能劣化をゼロにする技術
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）の最大の弱点である「熱安定性」を克服し、理論上劣化を極限まで抑えるた…
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- 温度依存C–V特性とは
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温度依存C–V特性とは ～温度変化によって変動する半導体デバイスのC–V挙動～ ■ 定義 **温度依存C–V特…
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- グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命
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⚡ グリッドからゲートへ：第三次エネルギー革命 「グリッドからゲートへ」という表現は、…
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- ペロブスカイト太陽電池
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ペロブスカイト太陽電池は、ペロブスカイト構造と呼ばれる特定の結晶構造を持つ化合物を発電層に用いた…
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- 「SiCの採用を75%減らす」というテスラの次世代戦略
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テスラの「SiC（炭化ケイ素）75%削減」という発表は、2023年のInvestor Dayで明かされた衝撃的な戦略で…
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- ストレージ技術とメモリ技術の進化
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ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
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- 富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」 SiC
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富士電機とボッシュの提携における「詳細なスペック」について、2025年12月の発表および直近の展示会（…
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- クロスバアレイの原理
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クロスバアレイ（Crossbar Array）は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算（積和演算）」を回路レベル…
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- 回転機・静止器設計におけるAI活用
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回転機（モータ・発電機）や静止器（変調器・受動素子）の設計現場では、従来の「熟練者の経験と勘」に…
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- ペロブスカイト太陽電池（PSC）
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ペロブスカイト太陽電池（PSC）は、次世代の太陽電池として最も注目されている技術の一つです。シリコン…
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- 低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューション
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低消費電力のインテリジェントな電力管理ソリューションは、主にIoT、ウェアラブルデバイス、およびバッ…
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- CFET 裏面電源供給（Backside Power）
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**裏面電源供給（Backside Power Delivery Network: BSPDN）**は、半導体チップの「電源の通り道」を劇…
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- MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレ…
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MgO-based magnetic tunnel junctions (MgO-MTJ) を用いたブレインモルフィック（脳型）システムは、現…
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- 第7世代以降のIGBTの具体的な特徴
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第7世代以降のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が、それまでの世代と何が違い、どのような特…
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- AIモデル（YOLOv8など）NVIDIA vs. Hailo
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AIモデル（特にYOLOv8など）をこれら2つのプラットフォームで動かした場合、そのパフォーマンス特性は対…
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