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- 4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFET 300°C極高温動作のメリット
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4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
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- TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御
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TTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御は、半導体ウェハの「厚みの均一性」を極限まで高める…
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- 最新のTEG（Test Element Group）ケルビン
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「TEG（Test Element Group）における最新のケルビン接続（四端子法）」について、半導体プロセスの微細…
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- 磁性ジョセフソン接合であるπ接合を利用した低電力超伝導集積回…
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磁性ジョセフソン接合（Ferromagnetic Josephson Junction）を用いた**π接合**は、次世代の低電力・超高…
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- 共振インダクタとトランスの統合設計（磁気統合）
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磁気統合（Magnetic Integration）は、EV急速充電器のような高出力・高密度な電源設計において、**「部…
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- 半導体スーパージャンクション
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スーパージャンクション（SJ）構造の概要 スーパージャンクション（SJ）構造は、パワーMOSFETの性能を…
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- MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）
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MOEMS（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems）は、光を扱うためのMEMS（微小電気機械システム）技術…
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- 強化窒化ガリウム（iGaN） onsemi
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強化窒化ガリウム（iGaN）は、オンセミ（onsemi）がパワー半導体市場向けに提供している独自の高性能GaN…
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- チップレット搭載FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）
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チップレット技術を用いた**FC-BGA（Flip Chip-Ball Grid Array）**は、現代の高性能プロセッサ（AIアク…
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- 極低温エッチング（Cryogenic Etching）
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ウエハーを極低温に冷却しながらHF（フッ化水素）プラズマを用いるエッチング技術は、次世代の半導体微…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- 二次元層状物質の人工ヘテロ構造
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二次元（2D）層状物質の人工ヘテロ構造（ファンデルワールス・ヘテロ構造）は、現代の材料科学において…
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- 位置推定感度と高推力を両立する単相リニアモータ
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「単相リニアモータ」において、**「位置推定感度（センサレス制御の精度）」と「高推力」**を両立させ…
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- ゲートバイアス（Gate Bias）とは
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ゲートバイアス（Gate Bias）とは ～MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ～ ■ 定義 **ゲ…
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- SiCやGaNウェハの加工技術
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SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のSi（シリコン）よりも優れた特性を持つ**ワイドバン…
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- ハーフブリッジ フルブリッジ
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ハーフブリッジとフルブリッジは、パワーエレクトロニクス回路の基本的な構成であり、主にインバーター…
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- SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおける信頼性課題
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SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスにおいて、バイポーラ劣化（積層欠陥の拡張）以外に最も重要視される信…
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- 冗長回路（ステア・バイ・ワイヤの内部など）
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ステア・バイ・ワイヤ（Steer-by-Wire: SbW）は、物理的な結合がないため、電源や通信の単一故障点（Sin…
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- トレンチ型SiC-MOSFET 三菱電機の新チップ、ロームの第5世代の…
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2026年に入り、トレンチ型SiC-MOSFETは「研究段階」から「実用・量産段階」へと完全にシフトしています…
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