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- カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
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カルコゲナイド系化合物（硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物）を用いた光触媒および光電極技術…
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- IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）
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IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor）は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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- FEOL/BEOL CMP
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CMP（化学的機械研磨）は、半導体製造の「前工程の前半（FEOL）」と「前工程の後半（BEOL）」の両方で不…
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- MgO-based MTJ エッジAIチップとしての具体的な製品化の状況
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MgO-based MTJ（以下、MTJ）を核としたエッジAIチップは、2026年現在、「研究開発」から「実働プロトタ…
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- 第8世代IGBT EVの航続距離
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EV（電気自動車）の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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- QPTのMicroDynoソリューション、コギングトルクとトルクリップ…
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イギリスの技術スタートアップ、QPT（Quantum Power Transformation）社が提供する「MicroDyno」ソリュ…
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- Y6誘導体などの化学構造
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有機太陽電池（OPV）の歴史を塗り替えた革新的な分子、**Y6（BTP-4F）**とその誘導体について解説します…
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- 平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは
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平坦バンド電圧（Flat Band Voltage, Vfb）とは ～MOS構造の基準電位を示す、界面特性評価の鍵～ ■ 定…
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- Chipletに代表されるHeterogeneous Integration
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チップレット（Chiplet）に代表されるHeterogeneous Integration（異種統合）は、半導体の微細化（ムー…
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- デマンドレスポンス（DR）VPP
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デマンドレスポンス（DR: Demand Response）について、詳しくご説明します。 DRは、電力の需要側（消費…
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- SiCコンポーネント 上面冷却（TSC）パッケージ
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SiC（炭化ケイ素）コンポーネントの上面冷却（TSC: Top Side Cooling）パッケージについて。 TSCパッケ…
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- RHOM 4ピンパッケージ（ケルビン接続）
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ローム（ROHM）が提供する4ピンパッケージ（TO-247-4Lなど）は、**「ケルビン接続（Kelvin Connection）…
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- 48VシステムにおけるDC/DCコンバータ
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48VシステムにおけるDC/DCコンバータ、およびその周辺を構成する主要な部品の選定基準について、より実…
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- DONUT LAB全固体電池 「5分充電」を支えるインフラ（充電器）…
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DONUT LABが掲げる「5分充電（フル充電）」という驚異的なスピードは、電池側の性能だけでなく、それを…
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- vdW積層材料 「光」を閉じ込める（ポラリトン）
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電子を1層に閉じ込める技術のさらに先にあるのが、**「光」を物質の表面に閉じ込める「ポラリトン（Pola…
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- CD(Critical Dimension)1.6μmの3層RDL形成
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ウエハー上のCD1.6μmの3層RDL形成は、再配線層 (RDL: Redistribution Layer) を用いた次世代半導体パッ…
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- セレン化インジウム（In2Se3）
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セレン化インジウム（Indium(III) selenide、In2Se3）は、インジウム（In）とセレン（Se）からなる半導…
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- BMWやベンツなどがGaNをどう車載に組み込もうとしているか？
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2026年現在、BMWやメルセデス・ベンツといった欧州メーカーも、テスラとは異なるアプローチで**GaN（窒…