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  • 「第8世代IGBT」再生可能エネルギー(太陽光発電や風力発電)分…
    再生可能エネルギー(太陽光発電や風力発電)の分野でも、第8世代IGBTと今回解明された「水素のメカニズ…
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  • 「STARアーキテクチャ」の仕組み
    富士通が提唱する**「STARアーキテクチャ」**は、FTQC(汎用型量子コンピューター)を実現するための最…
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  • フラッシュLiDAR
    「フラッシュLiDAR」は、PCSELの電子スキャンとはまた異なるアプローチの技術です。簡単に言うと、**「…
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  • DSOオシロスコープとは?
    DSOオシロスコープとは? DSO(Digital Storage Oscilloscope/デジタル・ストレージ・オシロスコープ)…
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  • 中国の半導体製造装置の現状(2025)
    中国の半導体製造装置市場は、政府の強力な国家戦略と米国の輸出規制を背景に、国内での自給化を目指し…
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  • テンソル GPUでの高速な計算を可能
    テンソルがGPUでの高速な計算を可能にする主な理由は、テンソルの構造とGPUの設計にあります。 🚀 テン…
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  • 三菱電機モビリティ USB4
    三菱電機モビリティ(2024年4月に三菱電機の自動車機器事業が分社化して発足)におけるUSB4への取り組み…
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  • 800VシステムのEV SiC MOSFET
    ポルシェ・タイカンやヒョンデ・アイオニック5などが採用する**「800Vシステム」**は、EVの歴史における大…
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  • 48V車載システム 冗長電源系での回路構成
    48Vシステム、特に自動運転(AD)や電子制御ブレーキ(brakes-by-wire)などの安全に関わるシステムでは…
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  • 透明なスマホ 発電OLED
    「発電もできる透明なスマホ」は、SF映画に出てくるような**「向こう側が透けて見える板なのに、画面が…
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  • LoRa ー Wi-Fiゲートウェイ
    LoRa(Long Range)無線とWi-Fiの変換、つまりLoRa-Wi-Fiゲートウェイの構築や導入について。 この2つ…
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  • カルコゲナイド系化合物半導体光触媒 水素生成
    カルコゲナイド系化合物(硫黄 S、セレン Se、テルル Te を含む化合物)を用いた光触媒および光電極技術…
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  • チップレットパッケージ基板とは
    チップレットパッケージ基板とは、複数の**チップレット(機能ごとに分割された半導体ダイ)**を電気的…
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  • 縦型のパワーMOSFETやIGBTのウエハの裏面プロセス ドーピング層
    縦型パワーMOSFETやIGBTといった縦型構造のパワーデバイスにおいて、ウェハの裏面プロセスは、大電流の…
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  • IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)
    IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)は、日本語で電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタと呼ば…
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  • 「トラップリッチ層」による高調波抑制(ハーモニクス)
    SoitecのRF-SOI基板、特にRFeSI(RF enhanced Signal Integrity)における**「トラップリッチ層(Trap-R…
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  • Oxide-semiconductor Channel Transistor RAM (OCTRAM)
    **OCTRAM(Oxide-Semiconductor Channel Transistor RAM)**は、キオクシアと台湾の南亜科技(Nanya Tec…
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  • TLPB(過渡液相接合)高温接合技術 SiC
    **TLPB(Transient Liquid Phase Bonding:過渡液相接合)**は、銀シンター接合と並んで、300°C以上の極…
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  • ウェハを極限まで薄く削る技術動向
    ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN(裏面電源供給)や3D積層を実現するための「バックエンド工程の…
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  • Bluetooth 6.x 系: 「Channel Sounding」
    2026年には本格的な普及が期待されている Bluetooth 6.0 の目玉機能、「Channel Sounding(チャネルサウ…
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