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- パワーレールプローブ
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1.8Vラインの±3%（54mV）という厳しい基準を判定する際、最強の武器となるのがパワーレールプローブです…
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- ゼロ電圧スイッチング(Zero-Voltage Switching, ZVS)整流回路
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ゼロ電圧スイッチング（ZVS）とは **ゼロ電圧スイッチング（ZVS）**は、スイッチング素子（MOSFETやIGB…
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- マイクロ波を用いたワイドギャップ半導体層シート抵抗の測定
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ワイドギャップ半導体（SiC, GaN, Ga0O3など）のデバイス開発において、エピタキシャル層や注入層の**シ…
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- Qualcomm SA8155P
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QualcommのSA8155P（Snapdragon Automotive Cockpit Platform Gen 3）は、現代のIVI（車載インフォテイ…
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- AIノイズ除去の低遅延化
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スポーツ中継、特にFPVドローンのように高速なレスポンスが求められる現場では、音声や映像のAIノイズ除…
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- PER-DDPGを用いた狭路環境におけるロボット移動
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PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
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- 高スイッチング周波数での整流器用アクティブクランプ回路の設計
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- Wi-Fi 7 RFFE Qorvo、Skyworks、Broadcom の3社比較
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Wi-Fi 7 RFFE（無線フロントエンド）市場を牽引する Qorvo、Skyworks、Broadcom の3社は、いず…
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- CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）
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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- 4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFET 300°C極高温動作のメリット
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4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
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- ストレージ技術とメモリ技術の進化
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ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
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- TLM (Transfer Length Method)
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TLM (Transfer Length Method / 伝送長法) は、CBKRと並んで半導体評価の柱となる手法です。CBKRが「コ…
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- クロスバアレイの原理
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クロスバアレイ（Crossbar Array）は、脳型メモリ素子を並べて**「行列演算（積和演算）」を回路レベル…
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- 水中ドローン（AUV） 複数台の同時協調（スウォーム）
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水中ドローン（AUV）の**スウォーム（Swarm：群れ）**技術は、1台の高性能な機体に頼るのではなく、多数…
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- PMSM 故障予兆診断（プログノーシス）までAIで行う
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AIによる**故障予兆診断（プログノーシス）**は、単に「壊れた」ことを検知する（診断：Diagnosis）だけ…
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- 化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）
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「化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）」について。 この賞は、青色LEDの発明でノーベル物…
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- ボード線図（Bode plot） コール・コールプロット（Nyquist図…
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電気化学測定やLAPSの評価において、**ボード線図（Bode plot）とコール・コールプロット（Nyquist図）*…
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- MotorComm等との互換性評価
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中国の半導体メーカーである MotorComm（裕太微電子） や JLSemi（景略半導体） は、IEEE 802.3ch（Mult…
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