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- STT-MRAMやロジック・イン・メモリは「GPU（AI用チップ）」をど…
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現在のGPUは、AIブームにより需要が爆発していますが、同時に「消費電力の増大」と「メモリの壁」という…
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- α型 vs β型-Ga2O3の具体的な違い
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酸化ガリウム（Ga2O3）には複数の結晶構造（多形）がありますが、パワーデバイスとして研究が進んでいる…
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- 積層プロセスやMicronの進捗 HBM4
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最新の2026年の状況を踏まえ、HBM4の積層プロセスの技術的課題と、米国**Micron（マイクロン）**の驚異…
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- BLE SoC 開発環境（SDKやコンパイラ）
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前述した主要な2つのプラットフォーム（NordicとRenesas）は、開発環境の設計思想が大きく異なります。…
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- 桐蔭横浜大学（宮坂研）ペロブスカイト太陽電池の生みの親
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ペロブスカイト太陽電池の生みの親である宮坂力教授（桐蔭横浜大学）の研究室は、2026年の現在も「実用…
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- 半導体CNT用いた高感度赤外線センサー
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CNT（カーボンナノチューブ）を用いた赤外線センサーは、次世代の光子工学において非常に注目されている…
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- 線形EMSDトランスデューサ
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「線形EMSDトランスデューサ（EMSD: Electromagnetic Soft Device / Electromagnetic Smart Device）」…
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- 電源電圧変動除去比（PSRR）
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「感度が不安定」という問題において、**PSRR（Power Supply Rejection Ratio）**は非常に重要なキーワ…
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- スピントロニクス半導体とCMOS技術の融合
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スピントロニクス半導体とCMOS技術を融合させることは、次世代の半導体技術において最も重要な研究開発…
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- 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術
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🚗 車載スマートセンサーにおけるSerDes技術の技術分析 SerDes (Serializer/Deserializer)…
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- ASA Motion Linkの物理層
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ASA Motion Link (ASA-ML)の**物理層（PHY）は、非対称通信と時分割多重（TDD）**を採用し、車載環境の…
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- FD-SOI FET の構造的特徴
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FD-SOI（Fully Depleted Silicon On Insulator）は、次世代の半導体プロセス技術の一つで、特に低消費電…
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- ガラスコア基板におけるABFの役割
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次世代のパッケージ基板として注目されている**「ガラスコア基板（Glass Core Substrate）」**において…
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- UEC（Ultra Ethernet）の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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- パワー半導体の電力損失を低減できる仕組み 「第8世代IGBT」
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2026年1月14日、三菱電機、東京科学大学（旧 東工大）、筑波大学、Quemix（ケミックス）の研究グループ…
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- I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）
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「I3C（Improved Inter-Integrated Circuit）」は、EEPROMやセンサーの分野で、これまで主流だった I2C…
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- ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池
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「ペロブスカイト/有機タンデム太陽電池（PVK/OSC Tandem）」は、現在太陽電池の研究開発において**「最…
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- 絶縁型Y-Δ SR-SAB 電気自動車（EV）の急速充電器
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絶縁型Y-Δ結線SR-SAB（Series Resonant Single Active Bridge）は、EV（電気自動車）の急速充電器におい…
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- 「アクティブ・バランサ」技術
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「アクティブ・バランサ」は、単相3線式システムの自立運転において、不平衡な負荷によって生じる中性点…
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