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トレンチ型SiC-MOSFETチップの最新動向（2026年初頭時点）をまとめます。 現在、業界は「第1世代トレン…
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GNU RadioをWindowsで動かす際、かつてはインストール作業が最大の難所でしたが、Radiocondaは「必要な…
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二次元物質のヘテロ構造（ツイストロニクス）の分野において、日本企業は**「世界が頼らざるを得ないキ…
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PER-DDPG（Prioritized Experience Replay - Deep Deterministic Policy Gradient）を用いた狭路環境に…
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高スイッチング周波数での整流器（レクティファイア）用アクティブクランプ回路の設計は、主にスイッチ…
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- Wi-Fi 7 RFFE Qorvo、Skyworks、Broadcom の3社比較
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Wi-Fi 7 RFFE（無線フロントエンド）市場を牽引する Qorvo、Skyworks、Broadcom の3社は、いず…
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CFET（Complementary FET：相補型電界効果トランジスタ）は、次世代の半導体微細化における切り札として…
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- 4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFET 300°C極高温動作のメリット
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4H-SiC（4H型炭化ケイ素）MOSFETは、従来のシリコン（Si）デバイスが動作限界（一般に150°C〜175°C程度…
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ストレージとメモリの技術は、現在「AI（人工知能）」と「データ爆発」という2つの巨大な波によって、過…
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TLM (Transfer Length Method / 伝送長法) は、CBKRと並んで半導体評価の柱となる手法です。CBKRが「コ…
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中谷真人先生が名古屋大学に着任される前に携わっていたJST ERATO（戦略的創造研究推進事業）プロジェク…
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インジウムリン（InP）の物理的特性、特に格子定数とバンドギャップは、この材料が光通信の「王者」と呼…
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クアルコムは高性能な組み込み/産業用プロセッサとして「Dragonwing™ IQ-Xシリーズ」 この「IQ-Xシリー…
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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体であるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）は、従来のシリコン（…
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USB 3.2のコンプライアンステストは、デバイスがUSB規格（仕様書）に完全に準拠し、他のデバイスとの**…
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- IDC、「Global Data Sphere Forecast (2024-2029)
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IDC（International Data Corporation）が発表した「Global DataSphere Forecast, 2024-2029」によると…
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レーザー励起電子加熱を利用した透明材料（ガラスやサファイアなど）の超高速穴あけ加工は、現代のマイ…
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EV（電気自動車）の航続距離に対する影響は、**「非常に大きい」**と言えます。 パワー半導体の電力損…
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Broadcomの「完全統合型ホール電流センサー（Fully Integrated Hall Effect Current Sensor）」は、主に…