5Gのミリ波(mmWave:28GHz帯など)通信において、Soitecのトラップリッチ層による高調波抑制は、「通信の成立」そのものを支える極めて重要な役割を果たしています。

ミリ波は、Wi-Fi 7よりもさらに高い周波数を用いるため、基板由来のわずかな歪みが致命的な影響を及ぼします。具体的な貢献を3つのポイントで解説します。


1. 「自己干渉(Self-Interference)」の回避

スマホのような小型デバイスでは、ミリ波を送信するアンテナと、他の通信(Sub-6やWi-Fi)を受信するアンテナが極めて近い距離に配置されています。

  • 問題: ミリ波(例:28GHz)を送信する際、基板の非線形性によって2次高調波(56GHz)などが発生し、それがデバイス内部で回り込みます。

  • 貢献: トラップリッチ層は、基板由来の高調波を 20dB〜30dB以上 抑制します。これにより、強力なミリ波送信中であっても、隣接する受信回路がノイズに埋もれず、「送信しながら受信する」という同時並行処理が安定します。

2. ビームフォーミングの精度向上

ミリ波通信の核となる技術が、電波を特定の方向に集中させる「ビームフォーミング」です。

  • 問題: ビームフォーミングでは多数のアンテナ素子を密に配置します。基板内で高調波やノイズが伝播してしまうと、隣り合うアンテナ間の位相(タイミング)が狂い、電波のビームがボヤけてしまいます。

  • 貢献: トラップリッチ層による高い「アイソレーション(分離)」性能が、アンテナ間の干渉を遮断します。これにより、鋭いビームを正確にターゲット(基地局)へ向けられるようになり、通信距離の延長と通信速度の安定に直接寄与します。


3. 電力効率(PAE)の最大化

ミリ波デバイスの最大の課題は「発熱とバッテリー消費」です。

  • 問題: 高調波が多く発生する基板では、出力エネルギーの一部が不要なノイズ(高調波)として捨てられてしまいます。これは電力を無駄にするだけでなく、デバイスを熱くする原因になります。

  • 貢献: 高調波の発生が抑えられることで、パワーアンプ(PA)が供給したエネルギーが効率よくメインの周波数に集約されます。

    • 効率向上: RF-SOI(RFeSI)基板は、バルクシリコンと比較して高い電力付加効率(PAE)を達成。

    • 実利: ミリ波通信中もスマホが熱くなりにくく、「ミリ波はバッテリーを食う」という弱点をハードウェアレベルで緩和しています。


まとめ:5Gミリ波における技術的立ち位置

課題 従来の基板 (Bulk-Si等) トラップリッチ層 (RF-SOI)
高調波 (2nd/3rd) 高い (信号を汚す) 極めて低い (信号がクリーン)
素子間分離 低い (干渉しやすい) 非常に高い (独立性が高い)
消費電力/発熱 高い (ロスが多い) 低い (効率が良い)
実装サイズ 外付けフィルタが必要で大型化 フィルタレス/小型化が可能

結論

5Gミリ波において、トラップリッチ層は単なる「ノイズ除け」ではなく、**「超高周波信号を、熱や干渉という物理的限界を越えてコントロールするための土台」**です。Soitecのこの技術がなければ、現在の薄型スマートフォンにミリ波機能を詰め込むことは事実上不可能だったと言えます。

 

 

 

 

 

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