次世代の先進パッケージング(Advanced Packaging)

RF antenna-in-package (AiP), and chip-embedded 3D power packages. Wafer-level RDL and Cu pillar and solder bumping technology.

先進パッケージング開発、そしてQFNやSOPといった従来の実装技術から、現在の「モア・ザン・ムーア(More than Moore)」へと繋がる技術セットが完璧に網羅されています。

顧客のRF(高周波)からパワー、さらには前工程と後工程の境界を繋ぐ「中工程(Middle-end /ウェハレベルプロセス)」までをワンストップでカバーできるこの技術群について、それぞれの技術的要所と価値をマッピングします。

📡 1. RF Antenna-in-Package (AiP)

5G Millimeter-Wave(ミリ波)や将来の6G(サブテラヘルツ帯)において、もはや不可欠となったモジュール技術です。

  • 技術の本質: 高周波では、RFIC(トランシーバ)とアンテナ間の基板配線ロス(伝送損失)が最大の敵になります。AiPは、パッケージ基板の最上層または内部にアンテナ素子(パッチアンテナなど)を作り込み、その直下にRFICを反転実装(フリップチップ等)することで、配線長を極限まで短縮します。

  • 求められる技術: 低誘電率・低誘電損失(Low-Dk / Low-Df)材料の制御、および高精度な高周波電磁界シミュレーション。微細なRDL(再配線層)による低インピーダンス接続。

 

⚡ 2. Chip-Embedded 3D Power Packages

GaN(窒化ガリウム)やSiC(シリコンカーバイド)といった次世代パワー半導体の性能を100%引き出すための、部品内蔵型3Dパッケージング技術です。

  • 技術の本質: 高速スイッチングを行うGaN/SiCでは、従来のワイヤボンディングによる「寄生インダクタンス($L_{stray}$)」がサージ電圧やノイズの原因になります。チップを基板(コア層や樹脂フレーム)の内部に埋め込み(Embedded)、レーザー経由の銅めっき(Vias)で直接上下接続することで、ループインダクタンスを劇的に低減します。

  • メリット: 表裏両面からの放熱が可能になり、熱抵抗($\theta_{JA}$)が大幅に低下。また、ドライバICや受動部品をチップの真上に3Dスタック(積層)できるため、電源モジュール全体の体積を1/2〜1/3に小型化できます。

 

⚙️ 3. Wafer-Level RDL, Cu Pillar & Solder Bumping

前工程(ウエハ製造)と後工程(基板実装)をシームレスに繋ぐ、WLCSP(Wafer-Level CSP)や2.5D/3Dインターポーザ製造のコア・プラットフォーム技術です。

  • Wafer-level RDL(再配線層):

    ウエハ上にポリイミドなどの絶縁膜と銅めっきを用いて、チップの極小パッドピッチ(数μm〜数十μm)を、外部接続可能なピッチへと「ファンアウト(拡幅)」または「ファンイン」させます。

  • Cu Pillar(銅ピラーバンプ):

    従来の球状はんだ(Solder Ball)に代わり、めっきで精密に高さを制御した「銅の柱(ピラー)」を形成し、その先端にのみ薄くはんだ(キャップ)を設ける技術です。

    • メリット: はんだが横に広がりすぎるのを防げる(ショート防止)ため、接続ピッチを100μm以下(最先端では数μm〜40μmピッチ)まで一気に微細化できます。また、電気・熱伝導率も大幅に向上します。

  • Solder Bumping(はんだバンピング):

    電解めっきやボールマウンタを用いて、ウエハ上に均一なマイクロバンプを形成します。フリップチップ実装や、先述の先進パッケージ基板への高密度接合(2.5D実装など)における確実な接合を保証します。

 

💡 俯瞰的シナジー

この提案(Webサイトのケイパビリティ表示や技術提案書を想定)の最大の強みは、「高周波(AiP)」と「大電流・高熱(3D Power)」という、物理的アプローチが全く異なる2つのハイエンド領域に対して、共通のコア技術(ウエハレベルのRDLやCu Pillarなどの高精度後工程プラットフォーム)を応用してソリューションを提供できる点にあります。

 

もしこれが特定の共同開発や、新規顧客への提案に向けた技術ドキュメントの作成であれば、特定のアプリケーション(例:車載向け800Vシステム、xEV用オンボードチャージャー、ミリ波レーダーモジュールなど)にフォーカスした形にさらに具体化できます。どのようなコンテキストでお使いになるかによって、適切な技術データの肉付け(例:ピラーピッチの実績値、対応可能なウエハサイズなど)をサポートいたします。

 

 

 

出典:Google Gemini (Gemini は AI であり、間違えることがあります。)

 

 

 

参考:The 2026 IEEE 76th Electronic Components and Technology Conference

 

 

https://ectc.net/

 

 

PR:Micsig 3rd Generation Optical Isolated Probe ~20kV

https://www.micsig.com/list/546

 

 

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