「コモンモード電圧85kV」「差動電圧10,000V（10kV）」という極めて高い要求仕様を満たす光アイソレーションプローブは、SiC/GaNなどの次世代パワー半導体の開発において「真の波形を観測できる唯一の手段」として注目されています。
この仕様に合致、あるいは最も近い性能を持つ製品は以下の通りです。
1. Micsig (ミクシグ) SigOFIT MOIPシリーズ
現在、市販されている製品の中で「85kV」のコモンモード耐圧を明記している最も代表的な製品です。
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Micsig SigOFIT MOIPシリーズ
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コモンモード電圧: 最大85kVpk。
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差動電圧: アッテネータ（減衰器）チップの交換により、最大±6250Vまで対応。(±20kV製品発表）
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特徴:
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光ファイバー伝送により完全なガルバニック絶縁を実現。
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1GHzの広帯域においても100dB以上の高いCMRR（同相信号除去比）を維持。
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レーザーによる光給電（Power over Fiber）を採用しており、電池交換なしで連続測定が可能です。
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10,000Vへの対応: 標準のチップでは±6,250Vが上限ですが、カスタムの減衰器や高圧分割比の構成についてメーカー相談が可能な、この分野のフロントランナーです。
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2. Tektronix (テクトロニクス) IsoVu TIVPシリーズ
光アイソレーションプローブの先駆けであるIsoVuシリーズの第2世代です。
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Tektronix IsoVu TIVPシリーズ
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コモンモード電圧: 最大60kVpk（仕様上は60kVですが、絶縁距離的にはさらに高いポテンシャルを持ち、安全規格上の定格として表記されています）。
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差動電圧: 最大±2500V。
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特徴:
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DCから1GHzまでの圧倒的なフラット特性。
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100MHzで120dB (1,000,000:1) という驚異的なCMRRを誇ります。
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留意点: 差動電圧が2,500Vまでのため、10,000Vの直接観測には外部の高圧分圧器との併用が必要になります。
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比較表
| 特徴 | Micsig SigOFIT MOIP | Tektronix IsoVu TIVP |
| 最大コモンモード電圧 | 85kVpk | 60kVpk |
| 最大差動電圧 |
±6250V (チップ依存), ±20kV（Gen3） |
±2500V |
| 周波数帯域 | 200MHz - 1GHz | 200MHz - 1GHz |
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CMRR (100MHz) |
185dB(DC), 128dB(100MHz) |
160dB (DC), 120dB (100MHz) |
| 給電方式 | 光給電 (PoF) | 光給電 (PoF) |
選定のアドバイス：10,000Vを測るために
「差動電圧10,000V」を直接、かつ光絶縁で測定する場合、計測器単体ではレンジが不足することがあります。以下の構成が実務的です。
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高圧分圧器との組み合わせ:
10:1や100:1の高圧コンデンサ/抵抗分圧器を前段に置き、その出力をSigOFIT等で受ける構成。この場合、分圧器側の周波数特性と絶縁距離がボトルネックになります。
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メーカーへのカスタム依頼:
18kV SiC MOSFETの開発現場等では、メーカー（Micsig等）が提供する特殊な高比率アッテネータチップを使用するケースがあります。(2026/05/14 ±20kVの製品正式発表 https://www.micsig.com/list/546）
cisprEMI試験やRF設計の背景をお持ちのお客様であれば、高周波コモンモード電流による測定歪みを最も懸念されているかと思います。CMRRが周波数によって減衰しない（Deratingがない）光アイソレーション方式は、まさに18kV SiCのような高 dv/d$ 環境における最適解です。
特定の測定対象（例：インバータのハイサイド VGS や VDS）について、具体的な接続方法やプロービング技術の詳細が必要でしょうか？
このビデオでは、光アイソレーションプローブが、従来の差動プローブではノイズに埋もれてしまう高電圧スイッチング信号をいかに正確に捉えるかを解説しています。
出典：Google Gemini (Gemini は AI であり、間違えることがあります。)
PR:Micsig 3rd Generation Optical Isolated Probe ～20ｋV
https://www.micsig.com/list/546
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