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- ゲートバイアス(Gate Bias)とは
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ゲートバイアス(Gate Bias)とは ~MOS構造やFETの動作制御に不可欠な電圧パラメータ~ ■ 定義 **ゲ…
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- 多結晶ダイヤモンド(PCD)基板上にGaNトランジスタ(GaN-HEMT)
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多結晶ダイヤモンド(PCD)基板上に窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(GaN-HEMT)を作製す…
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- アクティブプリチャージ 降圧トポロジのスイッチングコンバータ
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アクティブプリチャージ(Active Pre-Charge)回路で、降圧(Buck)トポロジのスイッチングコンバータを…
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- セラミックコンデンサ(デカップリング用) WBG用
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WBG(ワイドバンドギャップ)半導体向けのデカップリング用セラミックコンデンサは、GaNやSiCの超高速ス…
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- 6Gに向けたテラヘルツ帯フェーズドアレイ無線技術
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6G向けのテラヘルツ帯フェーズドアレイ無線技術は、超高速・大容量通信を実現するための中核技術として…
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- FP32 (単精度浮動小数点数)
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FP32(エフピーサンジュウニ)は、**単精度浮動小数点数(Single-Precision Floating-Point Number)**…
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- Wi-Fi RFFE(Radio Frequency Front-End)Non-linear PA
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Wi-Fi 7(IEEE 802.11be)などの最新世代において、「非線形パワーアンプ(Non-linear PA)」の活用は、…
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- USB4を導入している企業
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USB4(および最新のUSB4 Version 2.0)は、現在、パソコンメーカーから周辺機器メーカー、さらには内部…
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- UEC(Ultra Ethernet)の技術仕様
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2025年6月に正式リリースされた「UEC Specification 1.0」に基づき、その詳細な技術仕様を解説します。 …
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- エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO)
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エクストリーム・レーザー・リフトオフ(XLO)は、東京エレクトロン(TEL)が提唱・開発した、**「削ら…
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- 分子スピンを超伝導回路へ物理的に結合させる方法
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分子スピンを超伝導回路へ結合させるには、単に「近くに置く」だけでは不十分で、量子情報をやり取りで…
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- アナログ光回路実装に適したスパース信号回復のための連続時間法
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アナログ光回路を用いたスパース信号回復(特にCS: 圧縮センシング)は、従来のデジタル処理のボトルネ…
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- マイクロウェーブ展2025 アナログデバイス ADL5961
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アナログ・デバイセズ(ADI)が「マイクロウェーブ展 2025(MWE 2025)」で展示していたADL5961は、広帯…
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- 磁性ジョセフソン接合であるπ接合を利用した低電力超伝導集積回…
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磁性ジョセフソン接合(Ferromagnetic Josephson Junction)を用いた**π接合**は、次世代の低電力・超高…
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- 電気光学コムの具体的な仕組み
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電気光学(EO: Electro-Optic)コムは、ニオブ酸リチウム(LN)の最大の武器である**「ポッケルス効果」…
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- Wi-Fi 7の4K-QAM
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Wi-Fi 7の**4K-QAM(4096-QAM)**は、一度の信号送信で送れるデータ量を増やすことで、通信の「密度」を…
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- 3コイル球面モータ 多自由度ロボット関節
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3コイル球面モータを用いたロボット関節は、まさに「機械的な肩」や「股関節」を実現するための理想的な…

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