ウェハを極限まで薄く削る技術動向

ウェハを極限まで薄く削る技術は、BSPDN（裏面電源供給）や3D積層を実現するための「バックエンド工程の最重要課題」となっています。

2026年現在、この分野では単に「薄くする」だけでなく、**「数百ナノメートル（nm）単位の精度で、ウェハの強度を保ちながら削り取る」**という驚異的なレベルに達しています。

1. 極限の薄化：10マイクロメートル以下の世界

従来のメモリ（NANDなど）の薄化は数十μm（マイクロメートル）程度でしたが、BSPDNを実現するには、トランジスタのすぐ裏側まで迫る**10μm以下（場合によっては100nm以下）**という極薄化が求められます。

究極のターゲット: IntelやTSMCの最新プロセスでは、シリコン基板をほぼ全て削り取り、トランジスタの「ソース/ドレイン」に裏面から直接コンタクトさせるため、残存するシリコン厚を10nm〜数μmに抑える技術が導入されています。
キャリアウェハ方式: 削る対象のウェハ単体では割れてしまうため、別の支持基板（キャリアウェハ）を表面に貼り付けてから裏面を削る手法が標準となっています。

2. 次世代の薄化・分離技術

これまでは「研削（グラインディング）」と「研磨（CMP）」が主流でしたが、2026年には新たな手法が台頭しています。

エクストリーム・レーザー・リフトオフ (XLO):

東京エレクトロンなどが推進する技術です。ウェハ接合後、シリコン基板とデバイス層を**レーザーで「剥離」**します。削りカス（粉塵）を出さず、従来よりも工程を大幅に短縮できるため、次世代のスタンダードと目されています。
ナノTSV（nTSV）との連携:

ただ薄くするだけでなく、裏面から100nm〜500nm程度の非常に細い貫通電極（nTSV）を通す必要があります。このため、削りムラを極限まで抑えるTTV（Total Thickness Variation：全厚偏差）制御が極めて重要です。

3. 主要企業の技術動向

この分野は、日本企業が圧倒的な世界シェアを握る「日本のお家芸」とも言える領域です。

企業	技術の強み・役割
ディスコ (DISCO)	研削・切断の王者。 300mmウェハを高速かつ高精度に薄化する装置で圧倒的シェア。ダイシング（個片化）技術と融合したプロセスを提供。
東京精密 (ACCRETECH)	計測と加工の融合。削りながら厚みをリアルタイムで測定する高精度グラインダに強み。BSPDN向けの超精密加工機を展開。
荏原製作所 / アプライドマテリアルズ	CMP（化学的機械研磨）。研削後の表面を原子レベルで平坦にする装置を提供。BSPDNの接合面形成に不可欠。
東京エレクトロン (TEL)	搬送・ボンディング・剥離。ウェハ同士を100nm以下の精度で貼り合わせる「ボンディング」や、前述のレーザー剥離技術をリード。

4. 2026年の直面課題：歪みと熱

極限まで薄くすると、新たな問題が発生しています。

ウェハの歪み（Warpage）: 削られたウェハは非常に脆く、わずかな熱や応力で「反り」が発生します。これが露光装置（リソグラフィ）でのパターン合わせを困難にするため、**「反りを相殺するように貼り合わせる」**高度な制御技術が導入されています。
熱放散の再設計: 基板が薄くなると熱がこもりやすくなる懸念がありましたが、逆に裏面から直接冷却液に近づけることができるため、データセンター向けGPUなどでは、薄化が冷却効率の向上に利用されるケースも増えています。

出典：Google Gemini

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