酸化ガリウム（Ga2O3）の製造コストが、SiCやGaNといった他の次世代材料に比べて圧倒的に安くなると期待されている最大の理由は、「液体から結晶を作る（融液成長法）ことができるから」です。
これはシリコン（Si）と同じ製造スタイルが取れることを意味しており、技術的に非常に大きなアドバンテージです。具体的には以下の3つのポイントに集約されます。
1. 「融液成長法」が使える（最大級の理由）
結晶を作るプロセスには大きく分けて「気体から作る（気相法）」と「液体から作る（融液法）」がありますが、酸化ガリウムは後者が可能です。
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SiCの場合（気相法）:
SiCは液体にならない（昇華する）性質があるため、2,000℃以上の超高温でガスを少しずつ付着させて結晶を育てます。これには膨大な時間（数週間）がかかり、装置の維持費も高く、結晶も大きくしにくいのが難点です。
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酸化ガリウムの場合（融液法）:
酸化ガリウムは融点が約1,800℃で、液体として存在できます。そのため、「材料をドロドロに溶かして、種となる結晶を引き上げる」という、サファイアやシリコンで確立された手法（CZ法やEFG法）が使えます。
2. 結晶の成長速度が「100倍」速い
液体から結晶を引き上げる方法は、ガスを付着させる方法に比べて圧倒的にスピードが速いです。
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SiC: 1時間にミリ単位以下でしか成長しません。
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酸化ガリウム: 1時間に数十ミリという単位で成長させることが可能です。
同じ時間でより多くの結晶を生産できるため、製品1枚あたりの単価が劇的に下がります。
3. 大型化が容易
液体から作る手法は、容器のサイズを大きくすることで結晶の口径（ウェーハのサイズ）を大きくしやすいという特徴があります。
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半導体は「1枚のウェーハから何個のチップが取れるか」がコストに直結します。
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酸化ガリウムは、すでに4インチや6インチといった大型ウェーハの製作に成功しており、シリコン並みの量産効率を実現できるポテンシャルを持っています。
4. 既存インフラの転用が可能
酸化ガリウムの製造に使われる「EFG法」などは、LEDの基板として使われる「サファイア基板」の製造装置と非常に似ています。
ゼロから新しい生産設備を開発・構築するコストを抑え、既存の技術や設備をベースに量産体制を整えられることが、コスト抑制に大きく寄与します。
まとめ：コスト比較のイメージ
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Si（シリコン）: 液体から作れる。非常に安い（基準）。
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SiC: 気体から少しずつ作る。非常に高い（Siの数倍〜10倍以上）。
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GaN: 別の基板の上に薄膜を作る必要がある。非常に高い。
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酸化ガリウム: 液体から作れる。 将来的にSiCよりはるかに安く、Siに近い価格帯を目指せる。
この「安さ（量産性）」があるからこそ、物性面で劣るはずのシリコンが今も主役であり、酸化ガリウムもまた、「SiC並みの性能を持ちながら、Si並みの低価格を目指せる唯一の材料」として熱視線を浴びているのです。
出典：Google Gemini (Gemini は AI であり、間違えることがあります。)
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